如上圖，為制作該 半導體 器件的襯底結構，該 半導體 襯底包括依次層疊設置的第一n型 半導體 層20、第二n型 半導體 層21、p型 半導體 層22和第三n型 半導體 層23。

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8月30日，民德電子發布公告稱，公司擬使用現金2000萬元投資江蘇麗雋功率 半導體 有限公司（以下簡稱“麗雋 半導體 ”），并與麗雋 半導體 及原股東簽訂投資協議，投資款來源為公司自有或自籌資金。

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