點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們對(duì)于向來謹(jǐn)慎的 臺(tái) 積 電 而言,盡管多方壓力排山倒海而來,海外設(shè)廠、擴(kuò)產(chǎn)絕對(duì)會(huì)確認(rèn)投資回收與長期營運(yùn)動(dòng)能,直白說就是虧錢生意沒人做,也因此, 臺(tái) 積 電 也全力將海外設(shè)廠風(fēng)險(xiǎn)將至最低,盡其所能開出設(shè)廠條件
來源:semitrade
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們對(duì)于向來謹(jǐn)慎的 臺(tái) 積 電 而言,盡管多方壓力排山倒海而來,海外設(shè)廠、擴(kuò)產(chǎn)絕對(duì)會(huì)確認(rèn)投資回收與長期營運(yùn)動(dòng)能,直白說就是虧錢生意沒人做,也因此, 臺(tái) 積 電 也全力將海外設(shè)廠風(fēng)險(xiǎn)將至最低,盡其所能開出設(shè)廠條件
來源:semitrade
Cassidy 是 臺(tái) 積 電 的首席戰(zhàn)略官,也是 臺(tái) 積 電 亞利桑那州項(xiàng)目的總裁兼首席執(zhí)行官。從手機(jī)到 F-35 戰(zhàn)斗機(jī),再到NASA 的毅力漫游者火星任務(wù),都需要用到 臺(tái) 積 電 制造的各種關(guān)鍵部件。
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
此外, 臺(tái) 積 電 還公布2021年第三季財(cái)務(wù)報(bào)告。
來源:半導(dǎo)體前沿
日本的很多半導(dǎo)體廠商在尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的大型投資競爭中掉隊(duì),采用最新技術(shù)的邏輯半導(dǎo)體交由 臺(tái) 積 電 等生產(chǎn)。日本將通過接納 臺(tái) 積 電 的直接投資,恢復(fù)尖端產(chǎn)品的國內(nèi)制造。
來源:芯榜
對(duì)于GAA架構(gòu), 臺(tái) 積 電 稱將在2nm節(jié)點(diǎn)引入GAA技術(shù),現(xiàn)階段 臺(tái) 積 電 仍然將采用FinFET架構(gòu)。三星表示,采用GAA的3nm制程技術(shù)性能要優(yōu)于 臺(tái) 積 電 。
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
據(jù)了解,2021年以來各大晶圓代工廠不斷調(diào)漲報(bào)價(jià),舉凡聯(lián) 電 、力 積 電 等都已經(jīng)先后調(diào)漲報(bào)價(jià),且價(jià)格更呈現(xiàn)逐季調(diào)漲趨勢,不過 臺(tái) 積 電 已經(jīng)數(shù)年未調(diào)漲報(bào)價(jià),即便市場盛傳 臺(tái) 積 電 調(diào)漲報(bào)價(jià),就連2021年至今也未調(diào)整價(jià)格
來源:semitrade
報(bào)道指出,2021年以來各大晶圓代工廠不斷調(diào)漲報(bào)價(jià),舉凡聯(lián) 電 、力 積 電 等都已經(jīng)先后調(diào)漲報(bào)價(jià),且價(jià)格更呈現(xiàn)逐季調(diào)漲趨勢,不過 臺(tái) 積 電 已經(jīng)數(shù)年未調(diào)漲報(bào)價(jià),即便市場盛傳 臺(tái) 積 電 調(diào)漲報(bào)價(jià),就連2021年至今也未調(diào)整價(jià)格
來源:中國半導(dǎo)體論壇
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為, 臺(tái) 積 電 暫停漲價(jià)有兩個(gè)原因:內(nèi)部原因在于 臺(tái) 積 電 想要用穩(wěn)定的價(jià)格維持與客戶的關(guān)系, 臺(tái) 積 電顯示驅(qū)動(dòng)芯片代工服務(wù)若是真的漲價(jià),很可能導(dǎo)致客戶離開臺(tái) 積 電 。
來源:芯極速
臺(tái) 積 電 于日前召開技術(shù)論壇,指出其EUV設(shè)備累計(jì)裝機(jī)數(shù)量到2020年已占全球總數(shù)的50%,到2020年為止,采用 臺(tái) 積 電 EUV技術(shù)生產(chǎn)的晶圓,占全球EUV光刻晶圓數(shù)的65%。
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
臺(tái) 積 電 對(duì) FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的雙重成像技術(shù)之后, 臺(tái) 積 電 在16nm制程上采用了FinFET,密度小于Intel 14nm。
來源:EETOP易特創(chuàng)芯