業界分析,晶圓代工廠是臺灣 產能 大躍進的主要功臣,如 臺 積 電 去年總 產能 達12,969千片8寸約當晶圓,年增率高達17%,聯 電 去年總 產能 也年增11%來到5,323千片8寸晶圓。
來源:工商時報
業界分析,晶圓代工廠是臺灣 產能 大躍進的主要功臣,如 臺 積 電 去年總 產能 達12,969千片8寸約當晶圓,年增率高達17%,聯 電 去年總 產能 也年增11%來到5,323千片8寸晶圓。
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如今,在全球率先量產了 3 納米 GAA工藝的三星,正在將絢爛的事業進行到底。未來,干掉 臺 積 電 ,并非沒可能。[1]《 臺 積 電 、三星激戰 2 nm光刻機》,鈦媒體。
來源:芯榜
以7 納米 來看,2019年時 臺 積 電 7 納米 產能 約每月10.5萬片,對應三星制程的相關 產能 則僅約 2 萬片,2020年二者之間 產能 差距推估約14萬片與2.5萬片, 臺 積 高出三星4.6倍。
來源:集微網
可以看到,僅從資金規模和 擴 產 計劃上而言,中芯、華虹和 臺 積 電 等相比仍較小。 臺 積 電 和英特爾的資本投入都在百億美元級別,英特爾公布的項目已經達到千億美元規模,堪稱激進,背后當然也有政府政策的支持。
來源:百家號
此外, 臺 積 電 也確認 2 nm的相關建廠與開發計劃,以目前技術的研發時程推斷, 2 nm出現的時間點預估落在4年后,雖然屆時勢必面臨晶體管結構的改變與挑戰,但此舉也為相關廠商帶來 納米 節點微縮仍具有獲利的可能性與技術必須性
來源:全球半導體觀察
繼華為被美國禁止和 臺 積 電 、三星等代工廠進行合作并生產芯片后,今年 3 月1日,美國四部委卻發令,批準美領先設備廠商向中芯國際供應,其中包括14 納米 及以上的設備。
來源:雷鋒網
可以看到, 臺 積 電 和三星兩大領頭者除成熟制程,在先進制程上投入也較大,并且早有巨額的 擴 產 計劃。
來源:半導體設備資訊站
臺 積 電 南京廠月 產能 達 2 萬片 目前無進一步 擴 產 計劃半導體巨頭 臺 積 電 南京廠目前月 產能 已達成原定 2 萬片目標,制程技術以12 納米 及16 納米 為主。
來源:電子發燒友網
大陸對于半導體設備和材料采購金額均大幅追趕,推測與聯 電 廈門廠、中芯國際北京廠、英特爾(Intel)大連廠、三星西安廠、武漢新芯五大半導體廠都在 擴 產 所致,其中包括晶圓代工和 3 DNAND 產能 。
來源:電子產品世界
關于先進制程所需的極紫外光(EUV)機臺設備, 臺 積 電 并沒有對外揭露累計采購數量。據了解,目前臺 積 電 部分7 納米 制程與5 納米 制程均使用EUV設備,未來量產的 3 納米 制程也會采用。
來源:半導體行業觀察