從 臺 積 電 的制程工藝迭代速度來看，從1987年的 3 微米制程到預計2022年量產的 3 納米 ， 臺 積 電平均 2 年開發一代新制程，不斷提升半導體計算能力，從而擴展摩爾定律的持續挑戰。

來源：電子產品世界

英特爾、 臺 積 電 和三星均已走過7 納米 階段，其中 臺 積 電 在該節點取得了絕對優勢。隨后， 臺 積 電 和三星在今年雙雙實現5 納米 量產。 3 納米 制程方面， 臺 積 電 宣布預計于2022年開始量產，三星也放話要在同年投產。

來源：電子發燒友網

英特爾、 臺 積 電 和三星均已走過7 納米 階段，其中 臺 積 電 在該節點取得了絕對優勢。隨后， 臺 積 電 和三星在今年雙雙實現5 納米 量產。 3 納米 制程方面， 臺 積 電 宣布預計于2022年開始量產，三星也放話要在同年投產。

來源：全球半導體觀察

原本日本希望透過招攬 臺 積 電 ，在日本境內興建先進半導體工廠，不過 臺 積 電 決定在日本熊本縣興建的晶圓廠，該廠將只生產12nm至20nm范圍的較成熟制程的芯片。

來源：semitrade

為了追趕 臺 積 電 ，三星在代工技術上也采取了激進的路線，特別是今年6月旗下華城工廠已利用 3 納米 全環繞柵極（GAA）制程工藝節點開始量產首批芯片，成為全球首家量產 3 納米 芯片的半導體晶圓代工廠。

來源：電子工程專輯

臺 積 電 2021年4月表示將斥資28.87億美元擴充南京廠28 納米 成熟制程，擴增月 產能 4萬片，同年11月，又宣布于日本興建12英寸晶圓廠，月 產能 約4.5萬片，同時于中國臺灣地區建立7 納米 及28 納米 晶圓廠，

來源：半導體設備資訊站

2 .傳 臺 積 電 擴 產 放緩 明年資本支出或雙位數下滑——4月11日，導體供應鏈消息指出， 臺 積 電 3 納米 擴 產 進度放緩且 產能 規劃下修，而其他廠區如高雄28 納米 廠、下一代 2 納米 新廠建置進度也稍有減速。

來源：集微網