，而這為 臺 積 電 在成本和 產能 上都帶來了巨大的優勢。

來源：今日半導體

在從7 納米 向 3 納米 發展的過程當中，三星與 臺 積 電 就新一代的工藝節點（5 納米 ）處的競爭已經開始有了白熾化的趨勢――在臺 積 電 宣布在美建廠量產5 納米 工藝的消息后，三星也有計劃在美國發展芯片制造業務。

來源：互聯網

華創證券指出，面對美國禁令， 臺 積 電 存在無法為海思代工制造芯片的風險。因此，麒麟710A采用中芯14 納米 FinFET工藝也被視為“國產化零的突破”，是國產半導體技術的破冰之舉。

來源：第一財經

概括下主要有幾個重點：1.擴張其在美國亞利桑那州的 產 線，投資200億美元新建兩座晶圓廠； 2 .在堅持先進制程投入的同時，擴大與 臺 積 電 等代工廠的合作； 3 .成立代工服務部門并獨立運作，該部門將整合旗下制程、封裝

來源：集微網

28 納米 及以下制程的海外 產能 在 2024 年將比 2020 年成長 3 倍。在臺灣， 臺 積 公司 N 3 制程量產的基地在南科 18 廠；此外， 臺 積 公司正在為 N 2 制程的新晶圓廠進行準備。

來源：半導體行業觀察

據日經新聞（Nikkei）報道，隨著 臺 積 電 和韓國三星電子逐步邁向 2 納米 芯片量產，日本半導體材料企業正積極擴大投資，強化供應鏈布局以滿足市場需求。

來源：林慧宇

【 2 】大陣仗！ 臺 積 電 美國廠移機典禮：900多人參加，總投資400億美元【 3 】售罄！IGBT供需緊張，有大廠交貨期近50周！頭部廠商紛紛 擴 產 點擊左下方“閱讀原文”，爆款工具兩元購

來源：滿天芯

隨著AI需求全面引爆， 臺 積 電 近期啟動CoWoS大 擴 產 計劃。