12月8日晚間，長(zhǎng)江 存儲(chǔ) 科技有限責(zé)任公司發(fā)布聲明稱(chēng)：近期，多家媒體捏造、散布和傳播長(zhǎng)江 存儲(chǔ) “借殼上市”的不實(shí)傳聞。為澄清事實(shí)，公司發(fā)表聲明如下：一、長(zhǎng)江 存儲(chǔ) 從無(wú)任何“借殼上市”的意愿。

來(lái)源：芯極速

AI 存儲(chǔ) 新方向？據(jù)報(bào)道，為了增強(qiáng)在A(yíng)I 存儲(chǔ) 芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星計(jì)劃在下個(gè)月于硅谷舉行的MemCon 2024全球半導(dǎo)體會(huì)議上展示其對(duì)被稱(chēng)為HBM下一代技術(shù)的CXL DRAM的技術(shù)和愿景。

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察

編者按最近，關(guān)于 存儲(chǔ) 走勢(shì)的討論也越來(lái)越多。半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察之前也發(fā)布了一個(gè)文章《 存儲(chǔ) 芯片，拐點(diǎn)將至》的文章。在這個(gè)文章中，作者從終端廠(chǎng)商的反饋和市場(chǎng)的動(dòng)向來(lái)分析市場(chǎng)的走勢(shì)。

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察

Park 表示， 存儲(chǔ) 芯片不再僅僅為計(jì)算領(lǐng)域的參與者提供支持。“本質(zhì)上，包括 HBM 在內(nèi)的 存儲(chǔ) 技術(shù)的發(fā)展正在為人工智能系統(tǒng)的未來(lái)發(fā)展鋪平道路，”他在一次書(shū)面采訪(fǎng)中表示。

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察

磁帶 存儲(chǔ) 通常每十年更換一次，從而減少?gòu)U棄的 存儲(chǔ) 。例如，如果數(shù)據(jù)中心需要 存儲(chǔ) 100 PB 的數(shù)據(jù) 10 年，則將所有數(shù)據(jù) 存儲(chǔ) 在 HDD 上會(huì)產(chǎn)生 7.4 噸電子垃圾。

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察

潘健成表示，隨著第三季度傳統(tǒng)備貨旺季到來(lái)，且NAND價(jià)格仍比較低，近期對(duì)于NAND 存儲(chǔ) 模塊的需求正在緩慢增長(zhǎng)，客戶(hù)也在逐步推出大容量SSD 存儲(chǔ) 產(chǎn)品。

來(lái)源：半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)

另外一方面，則是因?yàn)閲?guó)產(chǎn) 存儲(chǔ) 芯片崛起，比如NAND產(chǎn)品有長(zhǎng)江 存儲(chǔ) ，DRAM產(chǎn)品有長(zhǎng)鑫 存儲(chǔ) ，國(guó)產(chǎn) 存儲(chǔ) 芯片打破了國(guó)外廠(chǎng)商的壟斷，也打破了國(guó)際定價(jià)權(quán)，所以對(duì)價(jià)格也形成了較大的沖擊。

來(lái)源：OFweek維科網(wǎng)

以斷電后 存儲(chǔ) 數(shù)據(jù)是否丟失為標(biāo)準(zhǔn)， 存儲(chǔ) 芯片（Memory）可分2類(lèi)：一類(lèi)是非易失性 存儲(chǔ) 器（Non-Volatile Memory），這一類(lèi)Memory 斷電后數(shù)據(jù)能夠 存儲(chǔ) ，主要以NAND Flash 為代表