國家 存儲 基地項目被業內冠以“將填補我國主流 存儲 器領域空白、擺脫芯片受制于人”的評價。公開資料顯示，長江 存儲 成立于2016年12月21日，注冊資本386億元，主要從事 存儲 器晶圓生產。

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有四個 存儲 空間：片內程序 存儲 器和片外程序 存儲 空間以及片內數據 存儲 器和片外數據 存儲 器。這種程序 存儲 器和數據 存儲 器分開的結構形式，稱為哈佛結構。

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而 存儲 器是 存儲 信息的主要載體，占集成電路市場的四分之一，我國 存儲 器市場占全球市場的一半，但缺乏自主知識產權和人才，導致高密度、大容量 存儲 器完全依賴進口。這給我國信息安全帶來了極大的隱患。

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今年7月，由國家大基金和湖北省地方基金等出資，長江 存儲 公司正式成立，將以武漢新芯現有12寸先進集成電路技術研發與生產制造能力為基礎，著力發展大規模 存儲 器。趙偉國任長江 存儲 董事長，丁文武任副董事長。

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今年，中國政府開始投入大量資金 存儲 芯片，武漢投資1600億元人民幣建設世界級 存儲 器基地，另外像紫光等芯片商也開始加大對 存儲 芯片的布局，整個國內 存儲 產業步伐一致，都在朝著完全自主的方向前進。

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英特爾的 存儲 黑科技早在2015年7月，英特爾就向媒體介紹了一種新的 存儲 介質。首先，這種 存儲 介質是非易失性的;其次，這種介質相對于傳統的NAND閃存能夠降低90%的延遲。

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Bhaskaran認為，這個措施將會大幅度提升每個數據點能夠 存儲 的數據量如果要使光子 存儲 器趕上電子 存儲 器的水平，它們依舊有很長的路要走。至少，其 存儲 密度將不得不再向上提升幾個數量級以增強它的競爭力。

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目前，閃存芯片 存儲 技術以高 存儲 密度、低功耗、擦寫次數快等優勢占據了非揮發性 存儲 芯片的壟斷地位，但隨著半導體工藝的不斷發展，閃存芯片 存儲 技術遇到了技術瓶頸，而新一代 存儲 技術——阻變 存儲 器有望成為閃存芯片 存儲 技術的替代者