這一成績得益于其率先量產HBM3和HBM3E，并成功滿足了NVIDIA等全球AI科技巨頭對高性能 存儲 器的強勁需求。然而，全球 存儲 器市場格局正悄然生變。

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這是在過去兩個月內美光針對長江 存儲 發(fā)起的8起無效挑戰(zhàn)中，長江 存儲 首次取得優(yōu)勢，這對長江 存儲 來說意義非凡。

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在DRAM和NAND 存儲 器市場迎來巨大變動的背景下，摩根士丹利證券發(fā)布報告指出，2024年第一季， 存儲 器價格或將上漲18%～23%。這一調整比之前的預估更為樂觀，將有力助長中國臺灣群聯的市場表現。

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韓國 存儲 出口額轉為增長，無疑是全球 存儲 需求回穩(wěn)的一大關鍵指標。盡管 存儲 芯片出口額已轉好，但 存儲 市場的需求增長仍在繼續(xù)。

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隨著其他品牌的NAND顆粒逐步小幅拉升，國產 存儲 龍頭長江 存儲 也開始拉升，自5月上旬，長江 存儲 的NAND顆粒漲幅約3-5%，比如256G都已經上漲到4-5個美金左右。

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“我們的觀點是， 存儲 芯片將在下半年恢復?！保ㄐ?武守哲）

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長江 存儲 晶棧?3.0獲得最具創(chuàng)新 存儲 技術獎FMS評獎委員會主席兼網絡 存儲 顧問公司總裁Jay Kramer表示：“我們很榮幸授予長江 存儲 ‘最具創(chuàng)新 存儲 技術獎’，并為長江 存儲 晶棧?3.0架構在異構 存儲 集成和

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