近年來,邁為科技積極布局 晶 圓 級(jí)制程與先進(jìn)封裝領(lǐng)域,產(chǎn)品線涵蓋 晶 圓 鍵合、激光加工、精密量測(cè)以及自動(dòng)化設(shè)備,并進(jìn)一步延伸至高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)相關(guān)的 晶 圓 鍵合設(shè)備。
來源:陳超月
近年來,邁為科技積極布局 晶 圓 級(jí)制程與先進(jìn)封裝領(lǐng)域,產(chǎn)品線涵蓋 晶 圓 鍵合、激光加工、精密量測(cè)以及自動(dòng)化設(shè)備,并進(jìn)一步延伸至高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)相關(guān)的 晶 圓 鍵合設(shè)備。
來源:陳超月
全球8寸 晶 圓 代工市場(chǎng)正進(jìn)入價(jià)格上行通道。
來源:李智衍
2025年6月即將上任的社長(zhǎng)菅原毅表示,未來將繼續(xù)擴(kuò)大 晶 圓 代工業(yè)務(wù)的規(guī)模。
來源:龍靈
據(jù)供應(yīng)鏈消息透露,臺(tái)積電近期計(jì)劃調(diào)漲 晶 圓 代工報(bào)價(jià),漲幅達(dá)10%。英偉達(dá)(NVIDIA)CEO黃仁勛對(duì)此表示,臺(tái)積電先進(jìn)制程雖然價(jià)格高昂,但“非常值得”。此番表態(tài)被解讀為對(duì)臺(tái)積電“價(jià)值反映”的背書。
來源:龍靈
Jochen Hanebeck展示300mm GaN相較于8英寸(200mm) 晶 圓 ,12英寸(300mm) 晶 圓 芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn),也因?yàn)?晶 圓 直徑的擴(kuò)大,每片晶 圓 上的芯片數(shù)量增加了2.3倍,效率也顯著提高
來源:芯極速
WM-7SR與WM-10R分別針對(duì)不同尺寸與精度的 晶 圓 檢測(cè)需求,前者覆蓋79納米(可選61納米)至2-8寸 晶 圓 ,后者則針對(duì)48納米及4-12寸 晶 圓 。
來源:ictimes
消息人士稱,博通進(jìn)行的測(cè)試包括將硅 晶 圓 (印有芯片的一英尺寬的圓盤)送入英特爾最先進(jìn)的18A制造工藝。博通上個(gè)月從英特爾收到了這些 晶 圓 。
來源:芯極速
晶 圓 代工廠稼動(dòng)率提升,多數(shù)廠家產(chǎn)能滿載,甚至接近100%,市場(chǎng)價(jià)格穩(wěn)定。中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍表示2024年格局底定,預(yù)計(jì)營(yíng)收增幅超同行,下半年?duì)I收將超過上半年。
來源:芯視野
晶 圓 代工巨頭聯(lián)電近期宣布從5月起實(shí)施年度調(diào)薪,旨在回饋員工并激勵(lì)人才。公司表示,調(diào)薪幅度根據(jù)個(gè)人績(jī)效而定,整體在3%至5%之間,與同行業(yè)水平相當(dāng)。據(jù)悉,另一大廠臺(tái)積電也在4月進(jìn)行了相似幅度的調(diào)薪。
來源:ictimes
三星曾誓言在2030年前超越臺(tái)積電,但其 晶 圓 代工業(yè)務(wù)近年來遭遇挫折。盡管三星在3納米技術(shù)上領(lǐng)先臺(tái)積電,但并未獲得大量訂單。NVIDIA曾選擇三星制造AI芯片,但因良率問題而轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。
來源:ictimes