其生產周期比 DDR 5 長 ，且Die Size更大， 良 率 較低。但即便如此，HBM在AI服務器市場的潛力仍被看好。預計2024年，HBM將占據約15%的DRAM產能，供給位元年增長 率 高達260%。

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然而，隨著存儲器市場需求回暖， DDR 4和 DDR 5 DRAM需求穩步增長，企業級存儲帶動NAND Flash出貨熱絡，力成下半年營運有望逐季提升。

來源：陳超月

1、合肥 長 鑫 CXMT 長 鑫 存儲首次介紹建設情況2019年 5 月15日，DRAM生產商 長 鑫 存儲董事 長 兼CEO朱一明介紹 長 鑫 的建設經歷和知識產權體系。

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并且由于 DDR 技術愈發成熟， DDR 5 的保質期或比 DDR 4 長 。

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由于這三大廠商全力爭奪HBM市場份額，其擴張通用DRAM（如 DDR 4/ DDR 5 ）產能的意愿明顯降低，導致供應受限，通用DRAM合約價格有望在高位維持更長時間。

來源：趙輝

在內存方面，今年量產的主要是合肥 長 鑫 ，總投資1500億元的合肥 長 鑫 內存芯片自主制造項目也是在9月底投產，將生產國產第一代10nm級8Gb DDR 4內存。

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中國正通過政策推動本土設備供應鏈發展，目標是實現80%的自給 率 。這為韓國廠商帶來了壓力，但也提供了技術 突破 的機會。 長 鑫 存儲正積極擴充 DDR 5 產能，并推動HBM研發。

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長 鑫 存儲首次披露DRAM技術路線--從接手奇夢達46納米到現在的10納米在今年 5 月 GSA 存儲論壇中， 長 鑫 存儲 CEO 朱一明披露了公司DRAM的技術來自于歐系存儲大廠奇夢達（Qimonda）之后