根據相關廠商目前發布的 DDR 5 產品規劃及研發進度，預計 DDR 5 產品的需求將于 2021 下半年開始出 現，，到 2021 年底滲透 率 將達到 20%-30%。

來源：百家號

SOCAMM由英偉達主導，聯合三星、SK海力士和美光共同開發，基于LPDDR 5 X DRAM芯片，通過694個I/O端口設計，將數據傳輸帶寬提升至傳統 DDR 5 的2.5倍。其核心創新體現在多個方面。

來源：龍靈

目標在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品 良 率 （測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于 10%。此次合肥 長 鑫 的重要 突破 ，也利好兆易創新的DRAM戰略！

來源：半導體設備資訊站

7nm 及以下工藝的 DDR 5 內存。

來源：百家號

，并規劃2023年挑戰 DDR 5 及LPDDR 5 等新時代產品。

來源：DIGITIMES科技網

存儲領域，公司已完成對于 DDR 5 等新產品技術儲備，與 長 鑫 存儲和長江存儲的合作持續深化。我們認為，隨著公司不斷加碼研發投入，先進封裝將帶領公司走向新的高度，成長空間持續延展。

來源：半導體風向標

參考 DDR 4 世代，我們預計 DDR 5 從發布到滿 12 個月新品滲透 率 將達到 20%-30%，滿 24 個月達到 50%-70%，36 個月滲透 率 達到 90 %左右。

來源：百家號

三星、SK海力士、美光三大DRAM廠目前主力均放在 DDR 4、 DDR 5 等高階產品， DDR 3等利基型記憶體市場則逐步棄守。

來源：中國IC交易網