今年 5 月15日， 長 鑫 存儲董事 長 兼CEO朱一明曾表示，從技術來源角度，合肥 長 鑫 與奇夢達合作，并結合了 長 鑫 自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件（約2.8TB數據）收歸囊中。

來源：愛集微

雖然目前中國在DRAM領域已有 突破 ，但頭部的DRAM廠商仍有較大的技術差距。合肥 長 鑫 存儲已在2019年下半年就已成功量產 DDR 4內存芯片，預計今年年中將試產17nm工藝的 DDR 5 內存芯片。

來源：芯智訊

美光與SK海力士向三星嗆聲意味不言可喻，三星直到2021年10月才正式宣布量產第四代10納米級1a納米EUV制程16Gb DDR 5 。

來源：DIGITIMES科技網

但 DDR 5 新技術和新產品的研發仍存在一定不確定性，包括行業標準技術規格書的修訂，內存接口芯片電路設計的高復雜度，新一代 DDR 5 內存顆粒以及中央處理器等上下游合作廠商的產品研發進度等，都會影響公司新一代 DDR 5

來源：EET

因此，雖然 DDR 4未來一段時間還將是主流產品，但是，目前DRAM已經開啟更新換代的周期，屬于 DDR 5 的時代也已經到來，三星、海力士及美光的產能擴張也主要集中于 DDR 5 新品。

來源：集微網

目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產 良 率 檢測報告。據悉， 長 鑫 存儲投產的產品是現在全球市場上的主流產品。

來源：全球半導體觀察

目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產 良 率 檢測報告。據悉， 長 鑫 存儲投產的產品是現在全球市場上的主流產品。

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