2022年3月, 長 鑫 存儲的注冊資本增加至485.8億元人民幣。目前 長 鑫 存儲已量產19nm DDR 4/LPDDR4/LPDDR4X等, 良 率 在70-75%。
來源:百家號
2022年3月, 長 鑫 存儲的注冊資本增加至485.8億元人民幣。目前 長 鑫 存儲已量產19nm DDR 4/LPDDR4/LPDDR4X等, 良 率 在70-75%。
來源:百家號
如在高端的圖顯 DDR 中,芯片性能速度明顯不足,這就需要引進更先進的HKMG CMOS提供更好性能。隨著 DDR 5 的到來,HKMG CMOS的使用會越來越現實。
如在高端的圖顯 DDR 中,芯片性能速度明顯不足,這就需要引進更先進的HKMG CMOS提供更好性能。隨著 DDR 5 的到來,HKMG CMOS的使用會越來越現實。
來源:粵訊
JEDEC將 DDR 5 描述為一種“具備革命意義”的內存架構,認為它的出現標志著整個行業即將向 DDR 5 服務器雙列直插式內存模塊(DIMM)過渡。
來源:百家號
外觀鑒賞現在光威工廠的 DDR 5 內存已經在生產過程中,只是出于內存顆粒產能的原因,還沒有辦法撒歡生產。而且相關支持 DDR 5 的其他配件也還沒有發布,最早的期待也要明年見。
來源:百家號
長 鑫 存儲董事 長 兼首席執行官朱一明表示,投產的8Gb DDR 4已經通過多個國內外大客戶的驗證,2019年底正式交付。
來源:電子發燒友網
長 鑫 存儲若進行IPO想必將在資本市場上砸出一個大水花。另外, 長 鑫 存儲近年來在存儲芯片技術上的 突破 也使其在全球范圍都備受關注。
來源:全球TMT
如今,能夠量產最新一代 DDR 5 內存芯片的廠商,只有三星、SK海力士與美光三巨頭; DDR 5 與前代 DDR 4兩款內存芯片吃掉了9成的市場份額,只有買下最先進專利,中國大陸公司才有資格坐上牌桌。
來源:遠川科技評論
與此同時,金融分析師Dan Nystedt也在推特上表示,臺積電目前的3nm 良 率 與 5 nm 良 率 在其生產初期相似,據媒體報道,其 良 率 可能高達80%。
來源:半導體前沿
目標是研發19nm工藝的DRAM內存,預計在2018年12月31日前研發成功,即實現產品 良 率 (測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于10%。而該項目依托的就是 長 鑫 存儲。
來源:EETOP易特創芯