目標是研發19nm工藝的DRAM內存，預計在2018年12月31日前研發成功，即實現產品 良 率 （測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%。而該項目依托的就是 長 鑫 存儲。

來源：電子發燒友網

同時， 長 鑫 睿力還自主研發了智能制造系統，能夠實現 良 率 、產能和質量的提升，目前有 70 多位員工服務于該系統。

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4、韓媒：SK海力士14nm級 DDR 5 產品 良 率 達 90 %korea.postsen 6月19日報道，據業界相關人士稱，SK海力士14nm級 DDR 5 DRAM（1a）產品 良 率 傳高達 90 %，遠高于競爭對手。

來源：今日芯聞

OERI 分析說，2019 年開始批量生產第一代 10nm 級(1x 或 18 nm至 19 nm)DRAM 的 長 鑫 存儲，目前 良 率 在 75% 左右。據了解，其第二代 DRAM 的 良 率 在 40% 左右。

來源：電子工程專輯

OERI 分析說，2019 年開始批量生產第一代 10nm 級（1x 或 18 nm至 19 nm）DRAM 的 長 鑫 存儲，目前 良 率 在 75% 左右。據了解，其第二代 DRAM 的 良 率 在 40% 左右。

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5 南亞科宣布10nm級內存完全自主開發 DDR 4/LPDDR4/ DDR 5 齊發在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內存廠，不過份額只有2%左右，而且技術來源也主要是美光授權，而且技術落后較多

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資料顯示， DDR 5 首款產品由SK海力士于2020年10月發布， DDR 5 內存條產品于2021年Q4陸續上市。

來源：集微網