合肥 長 鑫 于2019年量產了19nm工藝的 DDR 4、LPDDR4內存，根據規劃，該公司預計2021年完成17nm技術研發，加速向 DDR 5 DRAM產品研發。

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內存產品方面， 長 鑫 存儲于2019年三季度成功量產19nm工藝的 DDR 4/LPDDR4X芯片，接下來， 長 鑫 存儲規劃將推出17nm DDR 5 /LPDDR 5 等下一代內存產品。

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DDR 5 的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。 DDR 5 預計將帶來4266至6400MT/s的I/O速度，電源電壓降至1.1V。

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2016年是中國大陸存儲器產業發展的元年，晉華集成、合肥 長 鑫 和長江存儲分別成立于2月26日、6月13日、7月26日，短短 5 個月，中國大陸三大存儲器公司相繼成立。

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自2016年成立以來，合肥 長 鑫 建成了全國最大的12英寸DRAM芯片晶圓生產產線，量產了19nm工藝的 DDR 4、LPDDR4內存，2020年 5 月，合肥 長 鑫 的第一個消費級DRAM芯片產品正式上架。

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長 鑫 存儲代表大陸主流DRAM的技術水平，設計能力突出，定位大容納量標準型DRAM產品，現已推出19nm的 DDR 4/LPDDR4產品，系大陸首家，全球第四家采用20nm以下工藝的DRAM廠商，17nm的 DDR 5

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長 鑫 存儲：宣布量產DRAM芯片9月20日，在2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的 長 鑫 存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR 4首度亮相，

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3.5、項目進展順利， 良 率 遠超預期合肥 長 鑫 存儲器項目的 5 年規劃為：2018 年 1 月廠房建設完成，并開始設備安裝；2018 年底量產 8Gb DDR 4工程樣品，實現產品 良 率 不低于 10%；2019