而在DRAM領域，全球由韓國三星、海力士、美國美光三家企業把控，占據了全球超過 90 %的市場份額。今年 5 月，多款搭載 長 鑫 存儲DRAM芯片的內存條上市，剛剛實現我國自主研發DRAM芯片市場零的 突破 。

來源：EDA365

現在，長江存儲64層3D NAND 良 率 已達到 90 %，128層技術正在全力以赴。現在， 5 G時代和遠程任務的巨大需求，對存儲器都是重大利好。

來源：電子產品世界

目標在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品 良 率 （測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于 10%。此次合肥 長 鑫 的重要 突破 ，也利好兆易創新的DRAM戰略！

來源：電子發燒友網

目標在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品 良 率 （測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于 10%。此次合肥 長 鑫 的重要 突破 ，也利好兆易創新的DRAM戰略！

來源：電子發燒友網

一度供不應求的 DDR 5 、GPU、電源管理芯片、驅動IC、模擬芯片和NOR FlASH近期市場需求也逐漸趨緩，部分產品價格開始轉跌。

來源：OFweek維科網

芝奇國際技術行銷總監余大年則表示，即將問世的 DDR 5 ，勢必大幅提升內存速度及容量。

來源：全球半導體觀察

根據 Cadence analysis 的預測， DDR 5 在 2020 年市占 率 有望達到約 5 %，至 2022 年將有望 提升至超過 20%，而 IDC 則給出了更樂觀的 43%的市占 率 預測。

來源：百家號

MB271機型全部改完了，A片切割 良 率 穩定在92%以上超過專用機，B 5 機臺改造難題也已經 突破 量產在即，改造成本為買專機的十分之一”，金善明自信的說。