瀾起科技是唯一可以提供 DDR 2到 DDR 5 內存全緩沖/半緩沖解決方案的供應商。4、公司2016-2018年實現營收8.4億、12.3億、17.6億元，增速一直保持在40%以上，CAGR為44.2%。

來源：百家號

第 13 代英特爾酷睿 HX 處理器打造出眾的游戲平臺，同時具備多種功能特性，如支持 DDR 4 和 DDR 5 內存、疾速連接，和PCIe Gen 5 等。

來源：電子創新網

公司仍在不斷布局先進工藝產品，計劃于未來推出 10G3（17nm）工藝的 DDR 4、 DDR 5 、LPDDR4X、LPDDR 5 產品和基于 10G 5 工藝的 DDR 5 、LPDDR 5 、GDDR 5 產品。

來源：百家號

美光還在陸續大規模生產 DDR 4和LPDDR4，2020年初美光基于1Znm技術的 DDR 5 RDIMM開始送樣，還將投入下一世代HBM以及1α技術的研發。

來源：電子發燒友網

不過，隨著新一代內存的即將量產，瀾起科技 DDR 5 內存接口芯片出貨量拐點將至。綜合南亞科、金士頓等各大內存廠商陸續發布的 DDR 5 相關信息來看，內存廠商將在今年Q4密集推出 DDR 5 內存產品。

來源：集微網

DDR ~ DDR 5 規格對比，圖源丨Semiconductor二、移動 DDR ：提供更窄的通道寬度和較低的功耗，面向移動設備和汽車等對規格和功耗敏感的領域，目前JEDEC已公布的最高標準是LPDDR 5 。

來源：芯師爺

4. 長 鑫 存儲“半導體結構及其形成方法和存儲器”專利獲授權集微網消息，天眼查顯示， 長 鑫 存儲技術有限公司“半導體結構及其形成方法和存儲器”專利獲授權，授權公告日為 5 月19日，授權公告號為CN113675146B

來源：集微網