三星、美光與SK海力士鎖定 DDR 4、 DDR 5 和LPDDR 5 的應用，已經以15nm和14nm等級的單元設計規則(D/R)發布了D1z和D1α節點的產品。

來源：中國IC交易網

而國內的晶圓廠以中芯國際、長江存儲、華虹半導體、合肥 長 鑫 等廠商也從去年下半年開始加快擴建進程，陸續開展新一輪的半導體設備采購。

來源：百家號

根據 Cadence analysis 的預測， DDR 5 在 2020 年市占 率 有望達到約 5 %，至 2022 年將有望 提升至超過 20%，而 IDC 則給出了更樂觀的 43%的市占 率 預測。

來源：雷鋒網

不負眾望，2019 年，在朱一明帶領下的合肥 長 鑫 ，站在奇夢達（Qimonda）的肩膀上，完成了自主制造項目的投產，開始生產基于 19nm 工藝的 DDR 4 內存，目前月產能約為 2 萬片晶圓，預計將于

來源：EDA365

就目前情況來看，中國DRAM技術與三巨頭相比，大致落后 5 —6年。目前仍處于 DDR 4時代，比三巨頭的 DDR 5 還相差一代，而且這種技術差距似乎還在擴大之中。

來源：OFweek維科網

芯耀輝： DDR /LPDDR 5 時代的最強接口IP怎樣打造；隨著服務器CPU開始支持 DDR 5 ，移動設備支持LPDDR 5 ， DDR /LPDDR 5 的商用時代拉開帷幕。

來源：集微網

， DDR 5 短期內也難以帶來收入。

來源：百家號

， DDR DRAM 供電電壓為 2.5V，而 DDR 5 DRAM 降低到 1.1V，能夠實現更低的能耗。