根據(jù) Cadence analysis 的預(yù)測, DDR 5 在 2020 年市占 率 有望達(dá)到約 5 %,至 2022 年將有望 提升至超過 20%,而 IDC 則給出了更樂觀的 43%的市占 率 預(yù)測。
來源:百家號
根據(jù) Cadence analysis 的預(yù)測, DDR 5 在 2020 年市占 率 有望達(dá)到約 5 %,至 2022 年將有望 提升至超過 20%,而 IDC 則給出了更樂觀的 43%的市占 率 預(yù)測。
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2.2.2、 長 鑫 存儲實(shí)現(xiàn) DRAM 關(guān)鍵 突破 ,深度合作下兆易創(chuàng)新多方位受益 長 鑫 存儲作為目前大陸近乎僅有的實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)的 DRAM 制造廠,已成功量產(chǎn) DDR 4 DRAM 產(chǎn)品,面向服務(wù)器、PC 等主流應(yīng)用
來源:百家號
進(jìn)入2021年,多家存儲企業(yè)也先后宣布發(fā)布 DDR 5 內(nèi)存產(chǎn)品。
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
長 鑫 存儲的 DRAM 技術(shù)來源于破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司, 長 鑫 通過授權(quán)獲得了奇夢達(dá)的堆疊式相關(guān)技術(shù)后通過自身的研發(fā)將工藝由 46nm 推進(jìn)至 20nm 以內(nèi),實(shí)現(xiàn)技術(shù) 突破 。
來源:天天IC
我們預(yù)計(jì)紫光集團(tuán)后續(xù)的紫光南京/成都等項(xiàng)目,也是國產(chǎn)設(shè)備可以取得 突破 的產(chǎn)線。合肥 長 鑫 2018年7月合肥 長 鑫 DRAM正式流片,國產(chǎn)DRAM邁出重要一步。
來源:電子發(fā)燒友網(wǎng)
我們預(yù)計(jì)紫光集團(tuán)后續(xù)的紫光南京/成都等項(xiàng)目,也是國產(chǎn)設(shè)備可以取得 突破 的產(chǎn)線。合肥 長 鑫 2018年7月合肥 長 鑫 DRAM正式流片,國產(chǎn)DRAM邁出重要一步。
來源:手機(jī)報(bào)在線
我們預(yù)計(jì)紫光集團(tuán)后續(xù)的紫光南京/成都等項(xiàng)目,也是國產(chǎn)設(shè)備可以取得 突破 的產(chǎn)線。合肥 長 鑫 2018年7月合肥 長 鑫 DRAM正式流片,國產(chǎn)DRAM邁出重要一步。
來源:EDA365
加速推進(jìn) DDR 5 和LPDDR 5 IP的量產(chǎn)驗(yàn)證。
來源:集微網(wǎng)
2021 年,合肥 長 鑫 的國產(chǎn) 19nm DDR 4 DRAM 良 率 已達(dá)75%,17nm工藝開始爬升;同時(shí)長江存儲64層閃存顆粒出貨超3億顆,128層QLC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)。
來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
2021 年,合肥 長 鑫 的國產(chǎn) 19nm DDR 4 DRAM 良 率 已達(dá)75%,17nm工藝開始爬升;同時(shí)長江存儲64層閃存顆粒出貨超3億顆,128層QLC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)。
來源:百家號