；華虹宏力（無錫廠）國產化 率 23.7%， 主要由于華虹無錫廠一期技術節點 90 -65nm，國產裝備更早實現 突破 ；晶合集成國 產化 率 1.8%。

來源：百家號

（3）DRAM 方面：國際大廠包括三星電子、美光、SK 海力士，均將重心放在（LP） DDR 4、（LP） DDR 5 、GDDR6 等產品上，逐步退出 DDR 3 及前代等利基市場。

來源：百家號

無論DRAM還是NAND，國內產品的市場占有 率 都幾乎為0。而兩組雙子星戰隊正在尋求 突破 ："合肥 長 鑫 +兆易創新"挑戰DRAM領域，"長江存儲+紫光集團"挑戰NAND領域。

來源：百家號

盛合晶微作為全球僅有的四家具備2.5D量產能力的廠商之一，其自主研發的SmartPoser系列微凸點間距達到20微米， 良 率 超過99.5%，并在2026年4月完成科創板上市，市值 突破 人民幣1400億元。

來源：陳超月

同時，以長江存儲、合肥 長 鑫 為代表的本土存儲器廠商在產品技術和市場拓展方面持續 突破 和大力投入，國產存儲器市場蓄勢待發。另外，先進封測已成為封測市場的主要增量和構建競爭優勢的關鍵。

來源：中國半導體行業協會

合肥 長 鑫 于2019年實現了采用19nm工藝的8G DDR 4內存的量產，并于今年將自主研發的光威弈PRO DDR 4內存正式商用，推向消費者市場。

來源：百家號

合肥 長 鑫 于2019年實現了采用19nm工藝的8G DDR 4內存的量產，并于今年將自主研發的光威弈PRO DDR 4內存正式商用，推向消費者市場。

來源：是說芯語

受益于 5 G、AI、云計算、新能源汽車等終端半導體產品技術升級的需求拉動，對300mm硅片需求在 2021年將 突破 700萬片/月。然而國內硅片有效產能爬坡遠落后于芯片，先進制程工藝硅片仍依賴進口。