市場傳出，2021年 DDR 3市場供不應求， 長 鑫 存儲受限于制程升級速度不如預期，2021年底的產能約 5 ,000片，預計2022年將可望在量產 良 率 大幅改善后，2022年底將提升至1.5萬片規模，搶食利基型DRAM

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長 鑫 存儲還規劃將采用10G3（17nm工藝）發展 DDR 4、LPDDR4X、 DDR 5 以及 LPDDR 5 產品，采用10G 5 工藝推出 DDR 5 、LPDDR 5 以及GDDR6產品，該技術是使用 HKMG 和氣隙位線技術

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目前，該企業已實現 DDR 4、 DDR 5 及LPDDR 5 系列產品的量產，正持續提升 DDR 5 產能并加速HBM的技術布局。

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這一調整表明 長 鑫 存儲正全力轉向 DDR 5 和LPDDR 5 市場。中國中國臺灣地區地區《數碼時報》分析認為，該企業在新型DRAM標準的研發進程中取得 突破 ，為產能調整提供了技術支撐。

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市場分析指出，隨著 DDR 5 和LPDDR 5 X出貨占比持續提升，以及新產能逐步釋放， 長 鑫 科技的市占 率 有望進一步上升。據市調機構數據，2025年第二季度其全球DRAM市占 率 已接近4%， 突破 這一目標指日可待。

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長 鑫 存儲需實現高介電金屬閘極晶體管技術以提升性能，目前LPDDR4 良 率 約80%，而 DDR 5 良 率 尚待提升。公司已進入移動市場，充分利用中國龐大需求。

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內存已有嵌入式內存、高帶寬內存，加上 DDR 4、 DDR 5 等直接內存，以及CXL等擴展內存等。

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長 鑫 產品定位于大宗標準型 DRAM 產品，目前已量產19nm 的 DDR 4/LPDDR4/LPDDR4X 等， 良 率 在 75-85%，未來 2-3 年內將推進低功耗高速率 LPDDR 5 DRAM 產品開發