顯存技術，在桌面級低功耗水平下達到10Gbps帶寬新高，助力“風華2號”顯卡性能 突破 ，并且向下兼容LPDDR 5 /4，支持國產 長 鑫 的顯存顆粒。

來源：芯師爺

顯存技術，在桌面級低功耗水平下達到10Gbps帶寬新高，助力“風華2號”顯卡性能 突破 ，并且向下兼容LPDDR 5 /4，支持國產 長 鑫 的顯存顆粒。

來源：芯智訊

2016年，合肥 長 鑫 項目正式對外宣布。當年 5 月，合肥市政府和兆易創新公司合作投資的 長 鑫 存儲技術有限公司在合肥成立，合肥市出資75%，兆易創新出資25%，專攻動態隨機存取存儲器（DRAM）的研發生產。

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長 鑫 存儲自主研發的 DDR 4內存芯片滿足市場主流需求，可應用于PC、筆記本電腦、服務器、消費電子類產品等領域。

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手機和數據中心兩個存儲器核心應用的市占 率 也出現了下降。雖然手機市場正在從LPDDR 5 迭代至LPDDR 5 X，服務器市場正在從 DDR 4切換至 DDR 5 ，但新產品的溢價很快會被低迷的市場需求所消除。

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此外，值得一提的是，在設備的非美零部件 率 上，行業資深人士表示，中微公司和北方華創當前能實現60%以上的自給 率 ，有幾個關鍵部件尚沒有實現 突破 ，其中包括射頻發射器、ESC和真空壓力表。

來源：集微網

由該技術制成的清洗設備，與市場中的競品有顯著差異，其可利用交替變化的空間移動解決兆聲波傳遞的均勻性，提升顆粒去除 率 ，從而增加廠商產品 良 率 。

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來自深圳的存儲系統廠商時創意董事 長 倪黃忠提到一個案例：用長江存儲的wafer（晶圓）做封裝，封裝 良 率 居然達到了99.98%。