2019年9月20日，合肥 長(zhǎng) 鑫 宣布中國(guó)大陸第一座12英寸DRAM工廠投產(chǎn)，并發(fā)布了首個(gè)19nm工藝制造的8G DDR 4，屬于歷史性 突破 。

來(lái)源：EETOP

與 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)合作開發(fā) DRAM，2021 年計(jì)劃采購(gòu) DRAM 產(chǎn)品 19.33 億元，并投入 3000 萬(wàn)元于產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺(tái)。瀾起科技：內(nèi)存接口芯片全球前三， DDR 5 蓄勢(shì)待發(fā)。

來(lái)源：百家號(hào)

，相同功耗下其帶寬是 DDR 5 的三倍以上。

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

內(nèi)存芯片龍頭公司積極布局 DDR 5 相關(guān)研發(fā)生產(chǎn)，預(yù)計(jì) DDR 5 將在 2021 年逐步放量。

來(lái)源：百家號(hào)

2019年9月20日，合肥 長(zhǎng) 鑫 宣布中國(guó)大陸第一座12英寸DRAM工廠投產(chǎn)，并發(fā)布了首個(gè)19nm工藝制造的8G DDR 4，屬于歷史性 突破 。

來(lái)源：ittbank

2019年9月20日，合肥 長(zhǎng) 鑫 宣布中國(guó)大陸第一座12英寸DRAM工廠投產(chǎn)，并發(fā)布了首個(gè)19nm工藝制造的8G DDR 4，屬于歷史性 突破 。

來(lái)源：電子工程世界

在我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備各細(xì)分領(lǐng)域中，刻蝕、清洗、CMP及熱處理設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化 率 基本在20%以上，去膠設(shè)備國(guó)產(chǎn)化 率 可達(dá) 90 %。

來(lái)源：今日芯聞

另外,瀾起科技預(yù)測(cè) DDR 5 第一子代預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間為2021-2022年。公司目前正積極參與 DDR 5 內(nèi)存接口JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制定,保持公司在 DDR 5 內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

來(lái)源：電子產(chǎn)品世界