9月20日,總投資約1500億元的 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR 4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能達(dá)每月12萬(wàn)片晶圓。
來源:電子產(chǎn)品世界
9月20日,總投資約1500億元的 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR 4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能達(dá)每月12萬(wàn)片晶圓。
來源:電子產(chǎn)品世界
目前,芯耀輝最新自主研發(fā)并完成了基于SMIC 14/12nm工藝的 DDR 5 /4、LPDDR 5 X/ 5 /4X/4、MP 20G的首批交付。
來源:集微網(wǎng)
在這一過程中,三星和美光又相繼在高階PC DRAM產(chǎn)品 良 率 上出現(xiàn)問題,被迫召回這又使得PC DRAM市場(chǎng)供貨問題雪上加霜。
來源:集微網(wǎng)
強(qiáng)大的散熱模組擁有雙11厘米大風(fēng)量風(fēng)扇,可以支持最高145W瞬時(shí)功耗,并且有著持續(xù)100W以上的穩(wěn)定釋放,同時(shí)小新Pro一體電腦采用了 DDR 5 4800高頻內(nèi)存,全系標(biāo)配1TB SSD,大容量盡情儲(chǔ)存;
來源:TechWeb
合肥 長(zhǎng) 鑫 的發(fā)展規(guī)劃按照合肥 長(zhǎng) 鑫 公司高管此前公布的發(fā)展規(guī)劃來看,2018年底量產(chǎn)8Gb DDR 4工程樣品;2019年3季度量產(chǎn)8Gb LPDDR4;2019年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能2萬(wàn)片/月;2020年開始規(guī)劃二廠建設(shè)
來源:EETOP易特創(chuàng)芯
未來,盛美半導(dǎo)體計(jì)劃在國(guó)內(nèi)客戶清洗設(shè)備市占 率 達(dá)到50%以上,同時(shí)隨著國(guó)外客戶逐步穩(wěn)定 突破 ,未來在全球市場(chǎng)市占 率 也有望達(dá)到20%-30%。
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
Crucial 英睿達(dá) Pro 系列的另一款產(chǎn)品是帶有散熱器的 Crucial 英睿達(dá) DDR 5 Pro 和 DDR 4 Pro DRAM,提供開箱即用的性能,可提高系統(tǒng)速度、帶寬和響應(yīng)能力,而不會(huì)產(chǎn)生
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
合肥 長(zhǎng) 鑫 投資72億美元興建12寸晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品,預(yù)計(jì)在2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬(wàn)片規(guī)模。
來源:電子發(fā)燒友網(wǎng)
為 US$4- 5 )在 DDR 5 模組的比重將會(huì)達(dá)到10%或更高,這種變化將會(huì)明顯提升每片內(nèi)存模組的平均內(nèi)存接口芯片單價(jià)未來三年達(dá)到 7%復(fù)合增長(zhǎng) 率 。
來源:EET
WolfSpeed預(yù)測(cè)到2024年使用其8英寸襯底生產(chǎn)的MOSFET芯片成本將較2022年使用6英寸襯底下降63%,其中28%來自生產(chǎn)受益( 良 率 提升),25%來自規(guī)模效應(yīng),10%來自自動(dòng)化水平提升。
來源:中國(guó)半導(dǎo)體論壇