若 長 鑫 存儲 DDR 5 產品若可實現在 2022 年內量產出貨，則兆易創新作為 長 鑫 存儲的代銷 方，營收受益。 DDR 5 的出貨上行也會帶動其配套產品的市場需求上行。

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其次，存儲器制程與邏輯晶圓制造不同， 長 鑫 存儲現有的落后制程亦能發展 DDR 5 或HBM，但 良 率 及效應與國際DRAM大廠相比仍有差距。

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長 鑫 存儲的規劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm（17nm）技術， DDR 5 也在下一期規劃當中。

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長 鑫 存儲依托G4（16納米級）工藝節點，已實現 DDR 5 、LPDDR 5 產品商業化落地。

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三星昨天宣布量產新一代的8Gb LPDDR 5 內存顆粒，加上此前的16Gb GDDR6、16Gb DDR 5 內存顆粒，三星在新一代內存標準上已經完成布局，目前正在加速量產中。

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長 鑫 在2025年將擴大生產 DDR 5 ，可能對三星和SK海力士造成更大沖擊。TechInsights指出， 長 鑫 在2024年已大幅提升 良 率 。

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長 鑫 存儲還規劃將采用10G3（17nm工藝）發展 DDR 4、LPDDR4X、 DDR 5 以及LPDDR 5 產品，采用10G 5 工藝推出 DDR 5 、LPDDR 5 以及GDDR6產品，該技術是使用HKMG和氣隙位線技術，

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而且今年長 鑫 的 DDR 5 顆粒也會量產，到時 DDR 5 內存就會迎來真正的國產內存了。金百達8GB DDR 4 2666內存條，這款產品的名稱，是會引起一部分網友誤會的。