內(nèi)存產(chǎn)品方面， 長 鑫 存儲(chǔ)于2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的 DDR 4/LPDDR4X芯片，接下來， 長 鑫 存儲(chǔ)規(guī)劃將推出17nm DDR 5 /LPDDR 5 等下一代內(nèi)存產(chǎn)品。

來源：天天IC

內(nèi)存產(chǎn)品方面， 長 鑫 存儲(chǔ)于2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的 DDR 4/LPDDR4X芯片，接下來， 長 鑫 存儲(chǔ)規(guī)劃將推出17nm DDR 5 /LPDDR 5 等下一代內(nèi)存產(chǎn)品。

來源：百家號(hào)

內(nèi)存產(chǎn)品方面， 長 鑫 存儲(chǔ)于2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的 DDR 4/LPDDR4X芯片，接下來， 長 鑫 存儲(chǔ)規(guī)劃將推出17nm DDR 5 /LPDDR 5 等下一代內(nèi)存產(chǎn)品。

來源：愛集微

長 鑫 以IDM模式生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，目前可量產(chǎn)19nm DDR 4和LPDDR4產(chǎn)品， DDR 5 和LPDDR 5 技術(shù)正在研發(fā)中。雖然這個(gè)水平距離國際巨頭仍然差距很遠(yuǎn)，但也是國產(chǎn)DRAM企業(yè)最頂尖的水平。

來源：芯鋰話

長 鑫 以IDM模式生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，目前可量產(chǎn)19nm DDR 4和LPDDR4產(chǎn)品， DDR 5 和LPDDR 5 技術(shù)正在研發(fā)中。雖然這個(gè)水平距離國際巨頭仍然差距很遠(yuǎn)，但也是國產(chǎn)DRAM企業(yè)最頂尖的水平。

來源：芯鋰話

長 鑫 以IDM模式生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，目前可量產(chǎn)19nm DDR 4和LPDDR4產(chǎn)品， DDR 5 和LPDDR 5 技術(shù)正在研發(fā)中。雖然這個(gè)水平距離國際巨頭仍然差距很遠(yuǎn)，但也是國產(chǎn)DRAM企業(yè)最頂尖的水平。

來源：百家號(hào)

長 鑫 存儲(chǔ)17納米制程原本在2021年就要導(dǎo)入量產(chǎn)，在時(shí)程延後下，2022年第2季展開送交樣品，初期 良 率 約40%。PC供應(yīng)鏈亦傳出， 長 鑫 近期樣品測試并未通過。

來源：DIGITIMES科技網(wǎng)

長 鑫 存儲(chǔ)投產(chǎn)的產(chǎn)品是現(xiàn)在全球市場上的主流產(chǎn)品。“投產(chǎn)的8Gb DDR 4通過了多個(gè)國內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。”