據(jù) SK 海力士 在2025年12月國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上發(fā)布的消息，該公司推出了一項(xiàng)名為3D FeNAND（三維鐵電NAND）的創(chuàng)新技術(shù)，旨在應(yīng)對(duì)AI大模型帶來的能效挑戰(zhàn)。

來源：龍靈

據(jù)外媒NotebookCheck報(bào)道， SK 海力士 傳出將停產(chǎn)消費(fèi)級(jí)DRAM與NAND Flash產(chǎn)品，轉(zhuǎn)而集中資源布局B2B業(yè)務(wù)及AI服務(wù)器市場(chǎng)。目前， SK 海力士 尚未就該傳聞作出回應(yīng)。

來源：芯極速

盡管 SK 海力士 、三星電子和美光在DRAM市場(chǎng)占據(jù)高市占率，但仍無法完全滿足市場(chǎng)需求，亟需更多廠商擴(kuò)大產(chǎn)能以填補(bǔ)缺口。

來源：龍靈

SK 海力士 正致力于開發(fā)滿足不同需求的高附加值A(chǔ)I存儲(chǔ)器。

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SK 海力士 首次獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)，進(jìn)一步鞏固了其在亞太地區(qū)的行業(yè)地位。

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不過， SK 海力士 明確表示，當(dāng)前并無出售計(jì)劃。

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SK 海力士 表示，AIN B的研發(fā)已進(jìn)行多年，并積極探索與HBM協(xié)同配置等多種應(yīng)用方案。此外， SK 海力士 與SanDisk于2025年8月簽署了一份關(guān)于HBF標(biāo)準(zhǔn)化的合作備忘錄（MOU）。

來源：林慧宇

相比之下，三星電子目前仍以1b納米為主力產(chǎn)品，這進(jìn)一步凸顯了 SK 海力士 的領(lǐng)先意圖。業(yè)界分析指出， SK 海力士 加大對(duì)GDDR7的投入，與HBM4成本上升密切相關(guān)。

來源：李智衍