SK 海力士 首次在第四代10納米級（1a）DRAM中應用EUV制程，隨后在第五代10納米級（1b）DRAM中擴大了應用層數。預計從2025年下半年起， SK 海力士 將開始對1c DRAM進行轉換投資。

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面對這一挑戰， SK 海力士 和三星電子也在加速布局下一代技術。 SK 海力士 在財報電話會議上透露，已開始擴大12層HBM3E產品的銷售；而三星則專注于提升次世代DRAM制程的良率。

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市場分析顯示，2024年HBM市場競爭將進一步加劇，定價權可能逐漸向 SK 海力士 的某大客戶轉移。

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這款系統為 SK 海力士 次世代存儲器元件的制造提供了次納米級別的三維制程控制，成為其先進工藝的關鍵支撐。

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據韓聯社報道， SK 海力士 在活動中分享了其在人工智能（AI）時代的技術規劃、服務策略以及AI云端發展愿景。

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韓國業界普遍認為，2025年 SK 海力士 可能刷新年度營業利潤紀錄。

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據韓媒Chosun Biz援引業界消息，三星電子與 SK 海力士 正加速推進4F Square DRAM的研發進程，預計在2025年內完成初階原型并啟動性能驗證。

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這一變化被外界解讀為 SK 海力士 在當前不確定性增加的情況下，采取的謹慎投資策略。

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