盡管當(dāng)前NAND需求放緩,但 SK 海力士 表示,得益于業(yè)界減產(chǎn),市場將在2025年底恢復(fù)。此外, SK 海力士 中國大連廠已獲得美國政府VEU認(rèn)證,短期內(nèi)遭到制裁的可能性不大。
來源:陳超月
盡管當(dāng)前NAND需求放緩,但 SK 海力士 表示,得益于業(yè)界減產(chǎn),市場將在2025年底恢復(fù)。此外, SK 海力士 中國大連廠已獲得美國政府VEU認(rèn)證,短期內(nèi)遭到制裁的可能性不大。
來源:陳超月
面對中國新創(chuàng)DeepSeek的崛起, SK 海力士 社長郭魯正預(yù)測,該生成式AI模型長期將對半導(dǎo)體業(yè)界帶來正面效應(yīng)。他認(rèn)為,AI將廣泛滲透到產(chǎn)業(yè)和社會(huì),長遠(yuǎn)來看將刺激半導(dǎo)體需求,迎來更大機(jī)遇。
來源:陳超月
他還表示,此次訪問期間,計(jì)劃與 SK 海力士 總裁郭魯正會(huì)面,并將與三星電子、 SK 海力士 在模塊(Building Block)、下一代設(shè)備、C - FET 等預(yù)計(jì) 5 至 10 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的技術(shù)領(lǐng)域開展合作
來源:萬德豐
業(yè)內(nèi)消息指出, SK 海力士 已決定在2月底前訂購10臺,3月底前再訂20臺TCB,均為第五代HBM3E使用機(jī)型。盡管有猜測稱 SK 海力士 可能訂購16層HBM3E機(jī)型,但目前仍處于積極測試階段。
來源:趙輝
此外, SK 海力士 與臺積電合作,強(qiáng)化HBM4效能和電力特性。有消息稱, SK 海力士 HBM4的基礎(chǔ)裸晶可能采用3納米制程。
來源:萬德豐
SK 海力士 中國子公司 SK 海力士 系統(tǒng)IC主營8寸晶圓代工業(yè)務(wù),近期因中國競爭對手的低價(jià)競爭導(dǎo)致收益下滑,據(jù)傳將進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)整。
來源:萬德豐
SK 海力士 的這一創(chuàng)新有助于減少功耗和碳排放,同時(shí)節(jié)省多項(xiàng)成本。
來源:萬德豐
拜登政府近日宣布,正式通過芯片法案(CHIPS Act)向 SK 海力士 提供最高4.58億美元的直接資金補(bǔ)助。
來源:ictimes
美國商務(wù)部工業(yè)安全局(BIS)宣布將高帶寬存儲器(HBM)列入出口管制清單,此舉對韓國存儲器業(yè)者如三星和 SK 海力士 造成沖擊。
來源:ictimes
SK 海力士 表示,在員工齊心協(xié)力下,已在AI存儲器領(lǐng)域鞏固了技術(shù)競爭力,并取得顯著成長。此次組織調(diào)整和人事異動(dòng)將幫助 SK 海力士 重新平衡既有事業(yè)和未來成長基礎(chǔ),進(jìn)一步鞏固AI存儲器的領(lǐng)導(dǎo)地位。
來源:ictimes