SK 海力士 已開(kāi)始量產(chǎn)321層1Tb TLC 3D NAND Flash產(chǎn)品，這可能會(huì)對(duì)三星電子的業(yè)界領(lǐng)先地位構(gòu)成威脅。此前， SK 海力士 已在HBM領(lǐng)域超越三星，并在DRAM技術(shù)上取得領(lǐng)先。

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SK 海力士 等廠商已開(kāi)始驗(yàn)證CXL 2.0內(nèi)存，并計(jì)劃在年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外， SK 海力士 還與ASICLAND簽訂了合作協(xié)議，推進(jìn)CXL控制器的研發(fā)，進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)存產(chǎn)品。

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據(jù)韓媒報(bào)道， SK 海力士 已向核心氣體設(shè)備及基礎(chǔ)設(shè)施所需廠商下單，包括向三星電子供應(yīng)設(shè)備的韓國(guó)本土企業(yè)。與三星半導(dǎo)體部門(mén)業(yè)績(jī)不佳形成對(duì)比， SK 海力士 HBM產(chǎn)品與高效能DRAM供不應(yīng)求，促使企業(yè)追加投資。

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SK 海力士 系統(tǒng)IC正與晶圓制造商討論開(kāi)發(fā)事宜，而DB HiTek則計(jì)劃在2026年完成SiC半導(dǎo)體的制程開(kāi)發(fā)后全面投入量產(chǎn)。為滿足市場(chǎng)需求， SK 海力士 系統(tǒng)IC與DB HiTek均在擴(kuò)充產(chǎn)能。

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SK 海力士 AI Infra負(fù)責(zé)人表示，公司將繼續(xù)準(zhǔn)備下一代存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以應(yīng)對(duì)AI時(shí)代的挑戰(zhàn)。

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SK 海力士 使用MR-MUF制程生產(chǎn)HBM，相較于三星和美光使用的TC-NCF制程，堆疊DRAM時(shí)所需時(shí)間更短。此外， SK 海力士 先行堆疊DRAM再一次性熱壓接合，進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率。

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SK 海力士 的創(chuàng)新無(wú)疑將引領(lǐng)行業(yè)邁向一個(gè)嶄新的高峰，值得期待！

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在此背景下，三星與 SK 海力士 積極應(yīng)對(duì)，強(qiáng)化高端SSD市場(chǎng)布局。