據韓媒援引業界消息,韓美半導體近期召回了 SK 海力士 位于京畿道利川工廠HBM產線的數十名CS工程師。與此同時,韓美半導體已通知 SK 海力士 ,將對熱壓鍵合(TCB)設備進行提價,漲幅達25% - 28%。
來源:芯極速
據韓媒援引業界消息,韓美半導體近期召回了 SK 海力士 位于京畿道利川工廠HBM產線的數十名CS工程師。與此同時,韓美半導體已通知 SK 海力士 ,將對熱壓鍵合(TCB)設備進行提價,漲幅達25% - 28%。
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盡管今年3月下旬以來,部分廠商宣布漲價,市場供需狀況有所改善,但 SK 海力士 仍未表現出啟動大連二廠擴建的跡象。 SK 海力士 社長郭魯正表示,公司將在完成收購后制定更具體的運營戰略。
來源:趙輝
SK 海力士 宣布在龍仁半導體園區啟動首座半導體生產工廠(晶圓廠)建設。
來源:陳超月
SK 海力士 規劃在龍仁建造4座最先進fab,其中首座預計于2025年3月開工,2027年5月竣工,投資規模達9.4萬億韓元。同時, SK 海力士 正在清州建設HBM專用廠“M15X”,目標2025年底竣工。
來源:趙輝
SK 海力士 發表2024年第4季財報,整體數據亮眼,但NAND Flash需求低迷。 SK 海力士 未直接宣布減產,但表示將維持有限生產,以收益性為中心調節NAND生產。
來源:林慧宇
SK 海力士 表示,此次活動再次確認了其在AI市場上的技術優勢,以及與代工業者的穩固合作關系。未來, SK 海力士 將繼續與臺積電及OIP聯盟成員緊密合作,共同推動技術創新與發展。
來源:ictimes
SK 海力士 需在鞏固HBM市場地位與應對財務壓力間找到平衡。
來源:ictimes
SK 海力士 自2024年3月起已成功量產第五代HBM(HBM3E),并計劃提前至2025年實現第六代HBM(HBM4)的量產。
來源:ictimes
SK 海力士 正積極研發新一代高帶寬存儲器(HBM),計劃融入運算、通訊等先進功能,以鞏固其在HBM市場的領先地位。
來源:ictimes
SK 海力士 近日成功開發移動NAND Flash解決方案新品——ZUFS 4.0,專為智能終端AI應用打造。此技術旨在繼高帶寬存儲器(HBM)后,再次鞏固 SK 海力士 在AI存儲器市場的地位。
來源:ictimes