這一策略預計將顯著拉動低功耗DRAM（LPDDR）的需求，為三星電子和 SK 海力士 等存儲器廠商帶來新的營收增長點。

來源：李智衍

SK 海力士 的研發投入增幅更為顯著，第一季度達2.55萬億韓元，同比增長68.3%，占營收的4.9%。

來源：趙輝

市場對 SK 海力士 未來表現充滿期待，尤其是2025年營收和利潤有望雙創新高。據麥格理證券分析，這一預期進一步推高了外界對獎金發放的討論熱度。

來源：趙輝

與三星不同， SK 海力士 則專注于4F Square垂直閘極（Vertical Gate；VG）DRAM的研發。

來源：陳超月

據韓媒New Daily援引業界消息，三星電子和 SK 海力士 在中國的半導體工廠員工相繼提出提高績效獎金的要求。三星位于西安的半導體工廠以及 SK 海力士 位于無錫的工廠均受到影響。

來源：林慧宇

據韓媒Money Today報道，三星電子、 SK 海力士 與美光正加速布局第七代高帶寬存儲器（HBM4E）市場，預計該市場將從2027年開始快速增長。

來源：李智衍

SK 海力士 分析，AI應用正從大型模型訓練階段轉向實時推理和代理型AI，帶動存儲器需求從單一DRAM擴展至NAND Flash等整體存儲領域。在產品布局上， SK 海力士 將繼續提升全產品線競爭力。

來源：李智衍

此外， SK 海力士 預計2026年下半年開始向客戶提供HBM4E樣品。針對高帶寬存儲器市場需求， SK 海力士 認為，短期內供應短缺的情況仍將持續。

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