SK 海力士 社長兼CEO李錫熙,圖自韓國“News1 ”網站李錫熙表示公司已提前做好準備,有較為充裕的材料儲備,相關風險對業務無影響。
來源:集微網
SK 海力士 社長兼CEO李錫熙,圖自韓國“News1 ”網站李錫熙表示公司已提前做好準備,有較為充裕的材料儲備,相關風險對業務無影響。
來源:集微網
1月28日下午,無錫與 SK 海力士 深度戰略合作簽約活動在南京、首爾同步舉行。省委書記吳政隆、省長許昆林出席簽約儀式,并以視頻形式會見 SK 集團會長崔泰源。
來源:半導體前沿
SK 海力士 無錫法人:助力人才培養,推進“幸福經營” SK 海力士 無錫法人作為 SK 海力士 在中國最大的生產制造基地,致力于通過與高校緊密合作助力培養行業優秀人才,為踏入職場的高校學生創造幸福平等的工作機會,現已雇傭超過
來源:大半導體產業網
作者 | 方文圖片來源 | 網 絡 SK 海力士 量產第4代DRAM據韓國中央日報日語版 7月13日報道, SK 海力士 開始利用EUV光刻機生產第4代DRAM。
來源:Ai芯天下
據天眼查資料,5月13日,由 SK 海力士 100%控股的愛思開 海力士 半導體(大連)有限公司正式成立。
來源:全球半導體觀察
SK 海力士 未詳細說明其抗接觸電阻的方法,只是表明正在尋求下一代電極和絕緣材料并引入新工藝。融合處理和內存的近內存處理除了使DRAM速度更快并提高容量外, SK 海力士 還期待融合內存和處理技術。
來源:電子發燒友網
SK 集團會長崔泰源、 SK 集團首席副會長崔再源、 SK SUPEX追求協議會議長曹大植、 SK 海力士 副會長樸正浩、 SK 株式會社社長兼CEO張東鉉、 SK 海力士 CEO李錫熙、 SK 海力士 首席獨立董事河永求等16人現場出席了本次竣工典禮
來源:全球半導體觀察
雖然已經將閃存業務出售給 SK 海力士 ,但是Intel還會繼續發展存儲芯片。
來源:電子發燒友網
據韓聯社報道, SK 海力士 7日表示,近期成功研發出基于三層存儲單元(TLC)的176層512Gb(千兆位)NAND閃存。 SK 海力士 去年6月在世界上首次成功批量生產128層4D NAND閃存。
來源:大半導體產業網
這一企業指的就是 SK 海力士 半導體(重慶)有限公司。據悉,涉事員工為韓國籍人士韓某某,男,42歲,是 SK 海力士 半導體(重慶)有限公司工程師。
來源:OFweek電子工程網