SK 海力士 則在清州M15廠區進行改造工程，將第七代生產設備轉換為第九代設備。由于設備投資集中在高帶寬存儲器（HBM），且廠區閑置空間有限， SK 海力士 非常注重投資效率。

來源：陳超月

SK 海力士 計劃進軍半導體封裝市場，為客戶提供封裝代工服務。憑借在高帶寬存儲器（HBM）領域的經驗， SK 海力士 對后段制程市場充滿信心。

來源：ictimes

曾被三星壓制多年的 SK 海力士 ，如今憑借高頻寬存儲器（HBM）技術的成功，成為人工智能領域的重要推動者。 SK 海力士 作為英偉達的核心合作伙伴，在HBM領域實現突破，成功搶占市場先機。

來源：ictimes

SK 海力士 在2023年6月量產業界最高層數的238層3D NAND后，再次領先業界，宣布量產堆疊321層的TLC 3D NAND。該產品預計于2025年上半年正式供應客戶。

來源：ictimes

三星正積極爭取特斯拉的HBM4芯片訂單，并與臺積電合作以促進HBM芯片的開發，保持對 SK 海力士 的優勢。 SK 海力士 也在加速發展，以保持其在HBM領域的領先地位。

來源：ictimes

此前， SK 海力士 已宣布投資38.7億美元用于該項目，并與美國印第安納州政府、普渡大學簽署投資合作協議。 SK 海力士 與臺積電、NVIDIA的合作關系備受關注。

來源：ictimes

盡管新技術尚未大規模應用，但 SK 海力士 計劃于2025年初提供HBM3E樣品。此外， SK 海力士 透露HBM4存儲器標準仍在發展中，預計將于2026年在NVIDIA下一代GPU中首次亮相。

來源：ictimes

三星視第六代HBM4為扳回劣勢的關鍵， SK 海力士 則計劃推出16層HBM3E，同時研發HBM4。