三星電子與 SK 海力士 在LPDDR DRAM領域展開堆疊技術競賽，以應對AI設備的耗電挑戰。三星計劃于2025年研發完成VCS DRAM，2026年量產，該產品采用4層堆疊設計。

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為此，三星電子和 SK 海力士 正進行一系列嚴格的半導體兼容性測試和浸入式冷卻過程中的功能性能測試，以確保半導體在各種冷卻條件下的穩定運行和性能表現。

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這一決定是 SK 海力士 對市場趨勢的敏銳反應，旨在應對三星電子、美光等競爭對手在HBM領域的擴張。通過提前竣工， SK 海力士 將能夠在HBM市場上占據更有利的地位，并加速其產能的釋放。

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但隨著市場需求的轉變， SK 海力士 決定將其改建為DRAM專用工廠，并投入巨資進行建設。盡管建設過程曾一度中斷，但 SK 海力士 迅速調整策略，重新啟動了M15X廠的建設。

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近日，半導體行業的兩大巨頭 SK 海力士 與韓華精密機械宣布達成一項重要合作，韓華精密機械將為 SK 海力士 的HBM（高帶寬存儲器）生產線提供TCB（熱壓鍵合）設備。

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這項創新性的封裝方案，雖然目前仍處于概念階段，但 SK 海力士 已經邁出了實質性的步伐，開始設計相關的知識產權（IP），為實現這一目標鋪平道路。

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這一舉措反映了 SK 海力士 在半導體行業的技術領先地位和創新能力，為行業的未來發展奠定了堅實的基礎。

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SK 海力士 與臺積電在新一代高帶寬存儲器（HBM）領域的合作迎來新進展。

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