為了應對這些挑戰(zhàn)， SK 海力士 正積極尋求新的擴產(chǎn)機會，包括在美國等海外市場進行投資。此外，HBM市場的強勁需求也為 SK 海力士 帶來了機遇。

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過去， SK 海力士 在DRAM技術研發(fā)上稍遜一籌，但如今，通過加大投資與研發(fā)力度， SK 海力士 正努力縮小與三星的差距。與此同時， SK 海力士 在NAND Flash領域也在積極探索新技術。

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SK 海力士 RTC副社長李宰淵表示，這些新興技術將引領半導體產(chǎn)業(yè)新趨勢，滿足AI時代對存儲技術的更高需求。

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SK 海力士 在2024年第一季度交出了一份亮眼的成績單。

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SK 海力士 財務副社長表示，公司業(yè)績已全面回升，未來將繼續(xù)供應高性能產(chǎn)品，維持盈利經(jīng)營，不斷改善業(yè)績。

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受惠于生成式 AI 對高頻寬存儲器 (HBM) 的需求， SK 海力士 股價過去一年上漲一倍有余，市值也達到 124.49 兆韓元（約臺幣 2.89 兆元），不久前 SK 海力士 還表示，由于市場對 HBM

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此外，三星和 SK 海力士 的財報數(shù)據(jù)也印證了市場的回暖趨勢。三星最新財報顯示，營收和營業(yè)利益均優(yōu)于市場預期，存儲器業(yè)務的復蘇功不可沒。而 SK 海力士 也在積極調(diào)整建設速度與投資，為未來的市場競爭做好準備。

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根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)顯示，三星電子計劃將DRAM晶圓投入量提升至每月60萬片，較上一季度增長13%；而 SK 海力士 也將從39萬片提升至41萬片。

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