針對中國通訊巨頭華為最新旗艦手機使用了韓國半導(dǎo)體廠商 SK 海力士 的晶片, SK 海力士 澄清,目前公司已沒有與華為進行業(yè)務(wù)往來,并表示已對此展開調(diào)查。
來源:eeworld
針對中國通訊巨頭華為最新旗艦手機使用了韓國半導(dǎo)體廠商 SK 海力士 的晶片, SK 海力士 澄清,目前公司已沒有與華為進行業(yè)務(wù)往來,并表示已對此展開調(diào)查。
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在 FMS 2023 閃存峰會上, SK 海力士 就展示了其新型 PLC(5-Bit MLC)技術(shù)的研究成果。
來源:eetop
與2021年底時的庫存金額相比,三星與 SK 海力士 的半導(dǎo)體庫存在一年半內(nèi)增加一倍多,2021年底三星半導(dǎo)體庫存16.4551萬億韓元, SK 海力士 半導(dǎo)體庫存為5.4954萬億韓元, SK 海力士 增速比三星更快,
來源:芯智訊
雖然三星和 SK 海力士 尚未透露具體的HBM價格,但據(jù)悉最新第4代產(chǎn)品HBM3的價格約為最新傳統(tǒng)DRAM的5-6倍。
來源:中國IC交易網(wǎng)
SK 海力士 自去年第四季以來,每季都見赤字,連續(xù)3個季度虧損。所幸相較今年首季創(chuàng)紀錄的3.4兆韓元赤字,虧損有收窄跡象,多虧AI熱帶動 SK 海力士 Q2高端DRAM芯片銷售。
來源:IC- Lily
如此在控制外泄電流的基礎(chǔ)上, SK 海力士 的 LPDDR5X 不但在傳輸速度上提高了 33%,功耗也比上一代產(chǎn)品降低了 20% 以上。
來源:芯智訊
隨后,三星、 SK 海力士 、臺積電獲得了美國政府授予了為期一年的豁免許可,允許美國半導(dǎo)體設(shè)備出口到他們在中國大陸的工廠。該豁免期原定于2023年10月到期。
來源:今日半導(dǎo)體
三星電子(Samsung Electronics)、 SK 海力士 ( SK Hynix)兩大韓廠相關(guān)人士,日前分別在2場技術(shù)研討會上,揭示先進邏輯技術(shù)及存儲器最新發(fā)展趨勢;三星相關(guān)人士表示以環(huán)繞式閘極(GAA
來源:DIGITIMES
2014年, SK 海力士 與AMD聯(lián)合開發(fā)第一代硅通孔HBM產(chǎn)品;2018年 SK 海力士 發(fā)布第二代HBM產(chǎn)品HBM2;隨后2020年 SK 海力士 發(fā)布第三代HBM——HBM2E,作為HBM2的擴展版本,性能與容量進一步提升
來源:全球半導(dǎo)體觀察
SK 海力士 此次在 SK 集團旗下公司當(dāng)中首次進行了包含合伙公司在內(nèi)的社會價值測定。
來源:集微網(wǎng)