三、 SK 計劃下半年推0.8微米產品 SK 海力士 還表示,自今年第一季度推出1.0μm“黑珍珠”系列之后, SK 海力士 還計劃在下半年推出0.8μm(4800萬像素)產品。
來源:電子發(fā)燒友網
三、 SK 計劃下半年推0.8微米產品 SK 海力士 還表示,自今年第一季度推出1.0μm“黑珍珠”系列之后, SK 海力士 還計劃在下半年推出0.8μm(4800萬像素)產品。
來源:電子發(fā)燒友網
無錫市政府向 SK 海力士 提供45萬張醫(yī)療用口罩和5000套防護服。經過 SK 海力士 內部討論,除了在 SK 海力士 無錫工廠使用的2000套防護服以外,其余的防疫物資都運到 SK 海力士 總部。
來源:大半導體產業(yè)網
由此看來,疫情并不會大幅度影響 SK 海力士 在中國的市場份額。
來源:中國半導體行業(yè)協會
根據KoreaTimes的報道, SK 海力士 公司正在加強其CMOS圖像傳感器業(yè)務,從而在快速增長的智能手機相機市場提供競爭力。
來源:IT之家
不僅是三星,早前韓國存儲芯片大廠 SK 海力士 也曾對外表示,該公司位于韓國京畿道利川工廠的一名新員工,曾與大邱市新冠肺炎確診病例有密切接觸,公司出于最安全考慮,所有與該員工有接觸的人員全部隔離,共計800多名
來源:電子產品世界
SK 海力士 最近又研發(fā)出了新型DRAM工藝,號稱創(chuàng)下業(yè)內單芯最大密度記錄。 SK 海力士 公司宣布,其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機存儲器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內單芯最大密度的紀錄。
來源:電子發(fā)燒友網
另一方面, SK 海力士 計劃對于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應用領域擴大適用第三代10納米級微細工程技術。
來源:ic72
接下來, SK 海力士 計劃將第三代10納米級微細工程技術擴展到多種應用領域,包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
來源:大半導體產業(yè)網
10月21日, SK 海力士 宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
來源:SK海力士
另一方面,英特爾也發(fā)表數據中心用固態(tài)硬盤144層4階QLC(4bit為一單位)NAND閃存,比三星電子、 SK 海力士 的128層的NAND更加密集。
來源:芯科技