這一計劃標志著 SK 海力士 在NAND技術上的突破性進展，將推動行業技術革新。 SK 海力士 已經在2023年展示了321層堆疊NAND閃存樣品，預計將在2025年上半年實現量產。

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根據TrendForce的數據， SK 海力士 在HBM市場中占據53%的份額，領先于三星電子和美光科技。 此外， SK 海力士 在中國市場的戰略調整也對其業務運營產生了重要影響。

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與此同時， SK 海力士 也展示了40 Gbps的GDDR7產品，將頻寬提升至每秒128 GB，能效提升了40%，再次彰顯其在高性能存儲器領域的領先地位。

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NVIDIA、臺積電、 SK 海力士 將繼續攜手，不斷推動AI服務器市場的發展，為人工智能的廣泛應用提供有力支持。

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隨著全球半導體市場逐漸回暖，三星電子與 SK 海力士 紛紛加大投入，以研發新技術和擴大生產規模。

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隨著全球半導體市場對高帶寬存儲器（HBM）需求的激增，韓美半導體（Hanmi Semiconductor）近日宣布將加速擴建，以滿足其主要客戶 SK 海力士 （ SK Hynix）及美光（Micron）的強勁需求

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隨著存儲器市場的回暖，業界普遍預期三星與 SK 海力士 的業績將有所增長。然而，令人意外的是，這兩家韓國半導體巨頭的庫存資產卻出現了不減反增的現象。

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SK 海力士 表示，HBM將以捆綁合約形式供應，至2024年底，2025年的產能已全數分配給客戶。三星則透露，銷售情況與 SK 海力士 相似，預計2025年不會供過于求。