SK 海力士 于去年11月在移動(dòng)DRAM上全球首次采用了HKMG工藝，并成功量產(chǎn)LPDDR5X DRAM。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

Yahoo Finance報(bào)價(jià)顯示，三星電子(005930.KS)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士 (000660.KS)27日終場(chǎng)分別勁揚(yáng)2.29%、9.29%。其中， SK 海力士 股價(jià)創(chuàng)2022年3月以來(lái)新高。

來(lái)源：中國(guó)IC交易網(wǎng)

此外， SK 海力士 通過(guò)全公司不斷努力節(jié)省費(fèi)用，減少了庫(kù)存估值損失，由此實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)虧損幅度收窄。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

三星、 SK 海力士 HBM接單量激增《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》2月13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星、 SK 海力士 的HBM接單量大增。HBM以垂直方式連結(jié)數(shù)顆DRAM，能大幅提高數(shù)據(jù)處理速度。

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SK 海力士 238層NAND擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)金占?jí)郾硎荆骸肮窘窈髮⒗^續(xù)突破NAND閃存技術(shù)局限，并加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，在即將到來(lái)的市場(chǎng)反彈周期迎來(lái)大轉(zhuǎn)機(jī)。”

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

SK 海力士 解釋說(shuō)，相關(guān)DRAM產(chǎn)品最近進(jìn)入了英特爾的“數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)器認(rèn)證程序”驗(yàn)證程序。

來(lái)源：中國(guó)IC交易網(wǎng)

雖然DDR3、DDR4 4Gb占 SK 海力士 整體消費(fèi)級(jí)DRAM出貨不到三成，但由于 SK 海力士 延長(zhǎng)舊制程產(chǎn)線，小容量Consumer DRAM供給量將會(huì)逐漸增加。

來(lái)源：芯智訊

SK 海力士 可能會(huì)出售中國(guó)工廠據(jù)報(bào)道， SK 海力士 正在推遲其在中國(guó)大連的第二個(gè) 3D NAND 工廠的完工。

來(lái)源：eeworld