SK 海力士 的 4D NAND 產品。圖片由 SK 海力士 提供4D NAND 與 3D NAND 相比究竟如何？ SK hynix 最新的NAND與其他最近在內存密度方面取得的進展相比如何？

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消息人士進一步指出， SK 海力士 還將建立一個全國性的研發合作網絡以及相關設施，用于封裝 SK 海力士 的存儲芯片，和其他美國公司為機器學習和人工智能應用而設計的邏輯芯片。

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據路透社報道，知情人士稱， SK 海力士 計劃在美國新建先進芯片封裝廠，預計將在2023年上半年選址。

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據悉， SK 海力士 當天在美國加州舉行的2022全球閃存峰會上首次公開該產品。 SK 海力士 表示，這是公司自2020年12月研發出176層NAND后時隔1年零7個月成功研發下一代新技術。

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外媒報導，在美國晶片法案獲參眾議院通過后，由于法案中對在中國的先進半導體投資限制提出但書，三星電子與 SK 海力士 開始重新評估在中國的投資案。

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在峰會主題演講中， SK 海力士 NAND閃存開發擔當崔正達說道：“基于其4D NAND閃存技術， SK 海力士 全球首次成功研發了238層NAND閃存，進而確保了成本、性能、產品質量等層面的全球領先競爭力。

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有關這些風險和不確定性的進一步討論，讀者應參考 SK 海力士 向韓國交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售 SK 海力士 證券的要約。

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不過，外媒在報道中也提到， SK 海力士 削減2023年的資本支出，還只是消息人士的透露， SK 海力士 尚未就產能擴展計劃做出最終的決定，因而他們明年底資本支出是否會削減，還存在變數。