盡管業界普遍擔憂層數增加會推高制造成本，但 SK 海力士 表示，將通過工藝優化和技術創新確保產品競爭力。

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另一方面，HBM市場需求持續擴大，為 SK 海力士 帶來了顯著優勢。

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此外， SK 海力士 將AI自動化技術應用于HBM4基礎裸晶設計，顯著提升了復雜電路設計與驗證的效率，以滿足客戶需求。

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而 SK 海力士 則計劃依次推進第七代DRAM、1納米級第一代（0a）DRAM，以及垂直DRAM（VG）的導入。如果三星按計劃推進，將率先開啟“V DRAM時代”。

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針對HBM產品， SK 海力士 預計其需求將持續增長，今年同比增幅有望達到一倍。12層HBM3E的銷售占比預計在第二季度超過50%。

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據消息人士透露， SK 海力士 計劃從第三季度開始為博通生產HBM，并預計到今年年底，博通的訂單量將占 SK 海力士 HBM總產能的30%。此外， SK 海力士 在技術創新方面也取得新進展。

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這些產品凸顯了 SK 海力士 在AI存儲器領域的技術實力。 SK 海力士 的管理層也參與了此次峰會。

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韓媒預計， SK 海力士 將快速推進12層HBM4的量產進程，并在完成自主技術開發、評估后制作樣品供貨。若客戶通過效能評估， SK 海力士 將進入量產階段。

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