在全球半導(dǎo)體不景氣的情況下，Solidigm持續(xù)虧損成為 SK 海力士 的負(fù)擔(dān)。

來源：林慧宇

SK 海力士 （ SK Hynix）積極應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)，成功研發(fā)出AI數(shù)據(jù)中心專用的61TB SSD——PS1012。

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全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的重要參與者 SK 海力士 （ SK Hynix）正在擴(kuò)大其在韓國(guó)清州M15X廠的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）產(chǎn)能。

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三星電子和 SK 海力士 正在合作標(biāo)準(zhǔn)化LPDDR6存儲(chǔ)芯片內(nèi)運(yùn)算產(chǎn)品，以加速人工智能專用低功耗存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，適應(yīng)on-device AI技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。

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據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子和 SK 海力士 計(jì)劃在2025年升級(jí)既有設(shè)備、進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換并擴(kuò)大高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）封裝產(chǎn)能，以提高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力并平抑供需及價(jià)格。

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此次新產(chǎn)品的發(fā)布標(biāo)志著 SK 海力士 在NAND Flash領(lǐng)域的再次領(lǐng)先。自2023年6月推出238層NAND Flash后， SK 海力士 迅速突破技術(shù)瓶頸，成功研發(fā)出321層NAND Flash。

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韓國(guó)存儲(chǔ)器制造商 SK 海力士 宣布，將于2025年初提供其第五代高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品——HBM3E 16H的樣品。

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三星電子和 SK 海力士 等韓國(guó)企業(yè)在美投資可能受到影響，業(yè)界呼吁韓國(guó)政府做好協(xié)商準(zhǔn)備。韓媒分析認(rèn)為，三星與 SK 海力士 應(yīng)盡快與美國(guó)政府簽訂芯片法補(bǔ)助合約，以避免川普政府上臺(tái)后調(diào)整補(bǔ)助條件。