這一調整為三星電子和 SK 海力士 減輕了技術導入壓力，使其能夠利用現有DRAM堆疊技術實現HBM4的量產。三星與 SK 海力士 計劃在2025年下半年正式量產HBM4。

來源：萬德豐

韓美半導體此前通知 SK 海力士 ，將TCB設備供貨單價提高約28%。韓國業(yè)界相關人士透露，若要使價格恢復正常， SK 海力士 可能通過增加訂單量的方式進行協商。

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2025年3月19日， SK 海力士 宣布推出面向人工智能（AI）的超高性能DRAM新產品——12層堆疊的HBM4，并已向主要客戶提前供應樣品。

來源：李智衍

盡管三星與競業(yè)之間的差距不如HBM3或HBM3E時期那么大，但三星內部已轉向重點發(fā)展HBM4E，寄望借此趕超競業(yè) SK 海力士 。

來源：萬德豐

2025年1月， SK 海力士 的多芯片封裝（MCP）出口額較2024年12月下滑近30%，主要受高帶寬存儲器（HBM）季節(jié)性需求變化影響。

來源：龍靈

該AI芯片將搭載HBM4，而 SK 海力士 和三星都在積極研發(fā)HBM4，試圖在存儲器市場逆轉局勢。

來源：萬德豐

雖然這些措施可能對三星電子的晶圓代工業(yè)務造成影響，但在存儲器領域，它們可能對長鑫存儲構成牽制，間接有利于韓國廠商三星和 SK 海力士 。

來源：陳超月

據最新消息， SK 海力士 在先進封裝技術開發(fā)上取得了顯著進展，并已開始考慮對外提供2.5D后端工藝服務。

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