據報道， SK 海力士 為滿足主要客戶對高性能存儲器的需求，已經開始采用3nm工藝技術生產定制版HBM4，并計劃于2025年下半年向英偉達供貨。此前， SK 海力士 原計劃使用5nm工藝來定制HBM4。

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對于 SK 海力士 而言，與臺積電的合作是對三星4nm制程競爭的一次積極回應。考慮到臺積電3nm制程的優勢， SK 海力士 的HBM4無疑將在技術上領先于三星的產品，進一步鞏固其在內存市場的競爭力。

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SK 海力士 重點發展QLC NAND技術，實現高容量和提高生產效率。

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根據消息， SK 海力士 原本計劃在中國無錫廠擴增DRAM芯片的產能，但這一計劃現已被擱置。取而代之的是， SK 海力士 將擴大其位于韓國利川的M14廠和清州的M16廠的生產能力。

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SK 海力士 和Solidigm正在開發122TB eSSD，預計明年上半年投入使用。 SK 海力士 表示，其eSSD銷售額占第三季度NAND總銷售額的60%以上，同比增長430%。

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SK 海力士 近日發布了2024財年第三季度財務報告，業績再創歷史新高。

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此外， SK 海力士 集中于附加價值更高的服務器用DRAM事業，AI和高效運算（HPC）用DRAM營收占比也持續提升。相比之下，三星在此部分落后 SK 海力士 和美光。

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三星與 SK 海力士 因消費IT產品存儲器需求恢復緩慢，被韓國證券業者下調Q3業績展望。三星營業利益預期從13萬億韓元降至10萬億， SK 海力士 則從7萬億降至6萬億韓元，降幅約一至兩成。