Nvidia首席執行官甚至親自要求 SK 海力士 加快下一代芯片的供貨速度，這足以說明HBM對于產品的重要性。因此， SK 海力士 在HBM領域取得了顯著的成果。

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SK 海力士 此前曾計劃在2025年下半年向大客戶（市場普遍猜測為英偉達及AMD）提供HBM存儲系統。對此， SK 海力士 的發言人證實了這一時間表確實比最初目標有所提前，但并未透露更多細節。

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面對市場變化， SK 海力士 將有限產能轉向人工智能（AI）用存儲器及先進DRAM產品。外界預期， SK 海力士 將更多生產資源分配給高附加價值的產品，如高帶寬存儲器（HBM）、企業級SSD等。

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韓國三星電子和 SK 海力士 正引領一場技術革命，其研發重點正轉向一種前沿的制造技術——極低溫蝕刻技術。該技術已開始在下一代動態隨機存取存儲器（DRAM）的測試中大放異彩。

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SK 海力士 則正在研究將極低溫技術用于DRAM的電容器構成元件。若極低溫蝕刻技術成功應用于DRAM量產，預計最快將于第七代10納米級DRAM中導入。

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而 SK 海力士 則希望借GDDR7強化其高端產品戰略。

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SK 海力士 此次業績的亮眼表現，主要得益于面向AI的存儲器需求的持續增長。

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未來， SK 海力士 計劃通過 SK Key Foundry專注于高利潤的戰略半導體生產。這一系列的調整表明， SK 海力士 在提升市場競爭力、優化資源配置方面的決策具有前瞻性。

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