然而， SK 海力士 在擴張HBM產(chǎn)能方面卻顯得相對謹慎。

來源：ictimes

大連廠自2020年 SK 海力士 從英特爾收購以來，已占據(jù) SK 海力士 NAND總產(chǎn)量的約30%，主要生產(chǎn)192層產(chǎn)品。

來源：ictimes

隨著12層HBM3E芯片的量產(chǎn)， SK 海力士 在推動AI存儲技術(shù)發(fā)展方面邁出了重要一步。

來源：ictimes

金柱善承諾， SK 海力士 將持續(xù)作為AI生態(tài)的重要力量，與合作伙伴共克時艱，推動全球AI技術(shù)邁向新高度。

來源：ictimes

李康旭表示，為了應(yīng)對堆疊層數(shù)的挑戰(zhàn)， SK 海力士 不斷探索增加堆疊層數(shù)的方法。

來源：ictimes

SK 海力士 宣布成功開發(fā)全球首款1c DRAM，領(lǐng)先三星步入量產(chǎn)準備，預(yù)計2025年供應(yīng)全球科技企業(yè)。同時， SK 海力士 加速推進第七代HBM4E的研發(fā)，預(yù)計2026年量產(chǎn)。

來源：ictimes

2024年8月29日， SK 海力士 宣布成功開發(fā)全球首款基于第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。

來源：ictimes

SK 海力士 再創(chuàng)佳績，成功研制出全球首款第六代10納米級（1c）DDR5 DRAM，存儲容量高達16Gb。這一突破性成果標志著 SK 海力士 在超微細化存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

來源：ictimes