韓國首爾,2026年1月28日 – SK 海力士 近日發布了截至2025年12月31日的年度及第四季度財務報告。
來源:陳超月
韓國首爾,2026年1月28日 – SK 海力士 近日發布了截至2025年12月31日的年度及第四季度財務報告。
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這款芯片于2026年1月26日發布,搭載了6顆 SK 海力士 生產的216GB 12層HBM3E。 SK 海力士 方面對此消息未予證實,僅表示無法對外透露與客戶相關的信息。
來源:林慧宇
這一計劃標志著 SK 海力士 正加速布局全球先進封裝市場。 SK 海力士 此前已在韓國利川P&T4廠開展AI存儲器封裝業務,同時計劃在美國印第安納州建設封裝廠。
來源:陳超月
SK 海力士 在無錫的工廠是其重要的生產基地,承擔了公司整體DRAM產量的30%至40%。盡管美國對中國實施了嚴格的半導體設備出口管制, SK 海力士 仍通過調整生產策略完成了升級。
來源:龍靈
據外媒Tom's hardware報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士 在CES 2026展會上首次公開展示了業界首款16層HBM4內存封裝技術。
來源:陳超月
SK 海力士 的“SoC部門”專注于研究cHBM的基礎裸晶結構,并基于研究成果設計基礎裸晶。
來源:李智衍
據韓媒IT Chosun、韓聯社等援引業界消息,美國政府近期調整了對三星電子和 SK 海力士 在中國半導體工廠設備引進的限制政策。
來源:趙輝
SK 海力士 此前已向NVIDIA交付了客戶樣品(CS),并正在進行品質測試。據悉, SK 海力士 針對初期測試中速度與可靠性未達標的問題,對部分電路進行了調整。
來源:龍靈
SK 海力士 此舉旨在縮短與高帶寬存儲器(HBM)主要客戶之間的物理距離,加速次世代技術合作與客戶支持效率。
來源:龍靈
據媒體報道,三星電子和 SK 海力士 已經開始向英偉達交付第六代高帶寬內存(HBM4)。目前,兩家公司已進入談判的最后階段,并以付費方式向英偉達提供HBM4的最終樣品。
來源:龍靈