此外， SK 海力士 和其他主要廠商正在加速推進下一代 DRAM 技術的開發(fā)，預計將在2024年至2025年推出采用EUV光刻技術的1c nm DRAM。

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SK 海力士 計劃投資38.7億美元，建設AI存儲器封裝廠，預計2028年完工并量產新一代HBM。其補助比例高于臺積電和英特爾，顯示美政府對其重視。

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SK 海力士 在全球DRAM市場占比超30%，其投資動向對市場價格和供應有重大影響。對于投資細節(jié)， SK 海力士 保持謹慎態(tài)度，未予確認。

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尤為值得一提的是， SK 海力士 在MR-MUF技術中采用了環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）作為關鍵材料。

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SK 海力士 再次站在了顯存技術的巔峰，正式推出了全球性能頂尖的GDDR7顯存。

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SK 海力士 于2021年收購了英特爾的NAND閃存及SSD業(yè)務，創(chuàng)立了Solidigm品牌。

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然而，穩(wěn)定供電成為關鍵挑戰(zhàn)， SK 海力士 與三星在龍仁的投資預計需大量電力。盡管面臨水電資源問題， SK 海力士 表示將克服難關，確保項目如期完成。

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該項目旨在鞏固 SK 海力士 在全球半導體市場的地位，并滿足日益增長的AI半導體存儲器需求。

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