半導體是半導體集成電路或計算機芯片的縮寫。半導體有數十億個元件（晶體管、電阻器、電容器、二極管），所有這些元件構成電路。這些元件排列在由硅制成的芯片上，硅是一種半導體材料，可以通電和斷電。近年來，半

來源：濾波器　2024-06-03

CoWoS升級迭代，中介層面積增加、HBM容量提升。作為高端的系統封裝解決方案，CoWoS通過在緊湊的平面并排集成多個芯片，與傳統的多芯片模塊（MCM）相比提供了更高的集成度，目前已廣泛用于制造高性

來源：濾波器　2024-06-03

臺積電的N3X、N2P、A16工藝節點將于2025、2026年推出正如臺積電上周宣布的，該公司將于今年晚些時候開始采用 N3P 制造工藝進行大批量生產，這將是該公司一段時間內最先進的節點。明年事情會

來源：濾波器　2024-06-03

光刻膠被大量使用于晶圓生產之前必須通過Fab的評估。光刻膠的評估一般分為幾個部分：首先，判斷這一材料是否符合Fab的基本要求，包括供應的穩定性、質量控制的可靠性等。其次，是材料的工藝參數和基本性質，

來源：濾波器　2024-06-03

電子集成技術分為三個層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面

來源：濾波器　2024-06-03

上一篇中提到：相移掩模、光學鄰近效應校正、離軸照明等方法能彌補光學曝光的不足，但人們也在尋找新的曝光方法來完成納米級的集成電路制造。本文詳細介紹其中的電子束曝光、X射線曝光、離子束曝光分別的原理

來源：濾波器　2024-06-03

從光學光刻的原理可知，減小光源波長可以提高分辨率。所以光學光刻經歷了從436nm到365nm、248nm，再到193nm的過程，那么極紫外光刻系統為什么會選擇13.5nm？極紫外光刻系統為什么會選

來源：濾波器　2024-06-03

劃片工藝流程晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶

來源：濾波器　2024-06-03

概述：CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來，檢驗封裝的良率。現在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了，目的是

來源：濾波器　2024-06-03

前幾篇講了光刻的過程，光刻是將圖形轉移到覆蓋在半導體晶圓表面的光刻膠上的過程。為了電路生產，這些圖形必須再轉移到光刻膠下面組成器件的各薄層(如SiO2、Si3N4、沉積的金屬層)上。這種圖形的

來源：濾波器　2024-06-03